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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构，包括位于中间的MOS元胞结构和位于端部的终端结构，所述MOS元胞结构、终端结构均由漏极、金属源极和半导体外延层构成，其中，所述半导体外延层包括衬底层、扩散层；所述MOS元胞结构包括栅极、栅极表面覆盖的栅氧化层、N阱层、高掺杂P阱层二和低掺杂P阱层一，所述终端结构由主结与结终端扩展JTE构成；所述结终端扩展JTE包括位于扩散层表面处的JTE区域。本发明通过在主结中引入多个内隔离环作为隔离环，可以阻断器件开关过程中由于充放电而形成的电流路径，防止在主结形成强电场和漏电流，避免了器件在高速开关时的损毁风险。
主权项：1.一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构，包括位于中间的MOS元胞结构和位于端部的终端结构，所述MOS元胞结构、终端结构均由漏极（1）、金属源极（4）和半导体外延层构成，其中，所述半导体外延层包括衬底层（2）、扩散层（3）；所述MOS元胞结构包括栅极（5）、栅极（5）表面覆盖的栅氧化层（6）、N阱层（13）、高掺杂P阱层二（14）和低掺杂P阱层一（15），其特征在于：所述终端结构由主结（7）与结终端扩展JTE构成；所述结终端扩展JTE包括位于扩散层（3）表面处的JTE区域（8）；所述JTE区域（8）的上方沉积有氧化层一（9），其JTE区域（8）与金属源极（4）通过氧化层一（9）阻隔；所述主结（7）还包括位于主结（7）内部两侧的高掺杂P阱层一（12）；所述栅氧化层（6）与氧化层一（9）之间沉积有氧化层二（10）；所述栅氧化层（6）、氧化层一（9）和氧化层二（10）阻隔主结（7）与金属源极（4）欧姆接触，且仅高掺杂P阱层一（12）与金属源极（4）欧姆接触；其中，所述主结（7）的内部且位于两侧高掺杂P阱层一（12）之间通过离子注入形成有多个内隔离环（11），并且多个所述内隔离环（11）之间的间距相同。
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权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构及其制备方法
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