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申请/专利权人：湖南大学

摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种单片集成反向续流二极管的高可靠性平面栅SiCMOSFET器件结构及其制备方法，所述平面栅SiCMOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，所述N‑漂移区的顶部设有电流扩散层一和电流扩散层二，所述电流扩散层一中设有P型屏蔽区和P+区；所述电流扩展层由电流扩散层一和电流扩散层二构成，电流扩散层二层位于P型屏蔽层和P+区之间；所述元胞结构的N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区以及P+区，N+区以及P+区与源极金属相连。本发明改善了器件的反向恢复能力，避免了体二极管导通而引起的双极性退化，提高器件的可靠性。

主权项：1.一种单片集成反向续流二极管的高可靠性平面栅SiCMOSFET器件，所述平面栅SiCMOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属（1）、N+衬底（2）、N-漂移区（3），其特征在于，所述N-漂移区（3）顶部设有钳形的P型屏蔽区（6）和电流扩散层一（4）和电流扩散层二（41），所述N-漂移区（3）的表面设置有续流二极管结构，所述电流扩散层一（4）的两侧各设置一个P-base区（5），所述P-base区（5）的表面设置有金属源极（11）；续流二极管的阳极与金属源极（11）连接，所述N-漂移区（3）与金属源极（11）之间设置有栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅极（9）和栅氧（10），元胞结构两侧的P-base区（5）中具有N+区（7），元胞结构栅极区下方的P-base区（5）中有N+区（7）和P+区（8），所述P+区（8）位于N+区（7）的外侧，所述P+区（8）和N+区（7）的引出端均与金属源极（11）相连；集成续流二极管结构包含二极管填充层（12）和电流扩散层一（4），所述N-漂移区（3）上设置有二极管填充层（12），所述二极管填充层（12）底部与N-漂移区（3）之间有电流扩散层一（4），其中，电流扩散层一（4）中设有两个P型屏蔽区（6），集成续流二极管由金属源极（11）、二极管填充层（12）、电流扩散层一（4）、P型屏蔽区（6）、N-漂移区（3）、N+衬底（2）和漏极金属（1）构成；所述多晶硅栅极（9）与金属源极（11）、P-base区（5）、N+区（7）、电流扩散层一（4）之间设置有栅氧（10）。

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百度查询： 湖南大学 一种高可靠性平面栅SiC MOSFET器件结构及其制备方法