Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种微米SiC空心管及其制备方法和应用 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:西北工业大学

摘要:本发明公开一种微米SiC空心管及其制备方法和应用,该方法将二维碳材料间隔排列固定于气相沉积设备中,通入硅碳前驱体进行气相沉积,制得负载有SiC的二维碳材料;然后在空气气氛中,对所述负载有SiC的二维碳材料进行热处理,制得所述微米SiC空心管。本发明通过气相沉积和热处理两步法,可以精确控制SiC空心管的形貌和结构,微米SiC空心管可以提供更多的活性位点,提高催化效率,其大比表面积有利于吸附和分离气体或液体中的目标物质,因此,本发明中的方法操作简单、设计合理,有效得到微米级的SiC空心管。

主权项:1.一种微米SiC空心管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将二维碳材料间隔排列固定于气相沉积设备中,通入硅碳前驱体进行气相沉积,制得负载有SiC的二维碳材料;S2:在空气气氛中,对所述负载有SiC的二维碳材料进行热处理,制得所述微米SiC空心管。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西北工业大学 一种微米SiC空心管及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。