龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种方石英栅氧介质层的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：准备4H碳化硅待氧化样品，高温加热使其表面氧化，生成初始方石英氧化层；以及退火处理初始方石英氧化层，得到氧化后的4H碳化硅。采用氧化与退火工艺制备全覆盖的方石英薄膜，无需引入其它元素，利用方石英的晶态及介电特性，本发明还提供了方石英做栅氧介质层的三种不同应用，屏蔽4H碳化硅表面及界面缺陷，实现高质量碳化硅金属氧化物半导体器件。
主权项：1.一种方石英栅氧介质层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备4H碳化硅待氧化样品；加热氧化所述4H碳化硅待氧化样品的表面，生成初始方石英氧化层；以及退火处理所述初始方石英氧化层，得到氧化后的4H碳化硅，其中，所述氧化后的4H碳化硅包括或全部为方石英栅氧介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 方石英栅氧介质层及其制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号