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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区和P+区，N+区以及P+区与源极金属相连；栅极结构包括多晶硅栅极与栅极氧化物、隔离填充层、绝缘层，所述栅极氧化物位于所述多晶硅栅极与源极金属、P‑base区、N+区、P+区和电流扩散层之间；电流扩散层通过栅极氧化物与源极金属相连；本发明在不削弱传统平面栅SiCMOSFET性能的情况下，改善了器件的高频品质优值HF‑FOMs,High‑FrequencyFigure‑of‑Merits和动态工作性能。
主权项：1.一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的漏极金属（1）、N+衬底（2）、N-漂移区（3）；所述N-漂移区（3）顶部设有电流扩散层（4）；所述电流扩散层（4）的两侧各设置一个P-base区（5）；所述P-base区（5）的表面设置有金属源极（12）；所述N-漂移区（3）与金属源极（12）之间设置有栅极结构；元胞结构两侧的P-base区（5）中具有N+区（6）；P-base区（5）中有N+区（6）的外侧还具有P+区（7）；所述P+区（7）和N+区（6）的引出端均与金属源极（12）相连；所述栅极结构包括多晶硅栅极（8）、栅氧（9）、隔离填充层（10）和绝缘层（11），所述多晶硅栅极（8）与金属源极（12）、P-base区（5）、N+区（6）、电流扩散层（4）之间设置有栅氧（9）；所述隔离填充层（10）中间由金属源极（12）填充作为场板，所述金属源极（12）与电流扩散层（4）之间设置有隔离填充层（10）；所述多晶硅栅极（8）设置在栅氧（9）、隔离填充层（10）和绝缘层（11）之间，所述绝缘层（11）设置在N+区（6）、多晶硅栅极（8）、栅氧（9）、隔离填充层（10）和金属源极（12）之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件及其制备方法
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