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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种具有高功率和高温可靠性的SiCVDMOSFET结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，SiO2钝化层位于栅氧层和栅极的上方，P阱区上设置有三组沟槽缓冲区，三组沟槽缓冲区之间相连通，N－漂移区内设置有可变电阻V。本发明的一种具有高功率和高温可靠性的SiCVDMOSFET结构，使得器件被击穿之前避免发生栅氧击穿现象，从而提高了器件的工作稳定性与可靠性，且SiCVDMOSFET结构传输时能够跟随功率传输时产生的高温及时调整其电阻值，避免SiCVDMOSFET结构内部高温出现短路的情况。
主权项：1.一种具有高功率和高温可靠性的SiCVDMOSFET结构，包括漏极1，其特征在于：所述漏极1的上方设置有N+衬底2，所述N+衬底2的上方设置有N－漂移区3，所述N－漂移区3上设置有两个P阱区11，两个所述P阱区11内部均设置有N+有源区7，两个所述N+有源区7与两个P阱区11的内侧边界存有间隙，两个所述P阱区11朝外的侧面表面均设置有第一P+接触区6，所述第一P+接触区6与N+有源区7之间设置有P－接触区5，所述P-接触区5背向第一P+接触区6的侧面上设置有第二P+接触区4，所述N－漂移区3的上端设置有栅氧层13、栅极8、SiO2钝化层9和源极10，所述栅极8位于栅氧层13的上方，所述SiO2钝化层9位于栅氧层13和栅极8的上方，所述P阱区11上设置有三组沟槽缓冲区12，三组所述沟槽缓冲区12之间相连通，所述N－漂移区3内设置有可变电阻V14。
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百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种具有高功率和高温可靠性的SiC VDMOSFET结构
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