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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本发明公开了一种读取放大器设计，应用于MRAM单元，且包括：互相连接的偏置电路单元，基本单元，反耦合结构单元以及输出比较器。反耦合结构单元用于对冲基本单元的公共电压对偏置电路单元的偏置电压的耦合。相比于现有技术中在关键电路上增加大量电容以对抗耦合的方式，本申请在基本单元上连接一个反耦合结构单元，来应对数据选择器打开和或关闭时，公共电压发生突变而对偏置电压造成的影响。避免了由于电容耦合造成的偏置电压的微小偏移，从而对读取裕度和准确率造成影响的问题，进而提高了读取放大器的可靠性。进一步地，利用一个简单的电路结构对抗耦合，既节省了电路版图的面积，也减少了电流环路的形成时间。
主权项：1.一种读取放大器设计，应用于MRAM单元，其特征在于，包括互相连接的偏置电路单元，基本单元，以及反耦合结构单元，所述反耦合结构单元用于对冲所述基本单元的公共电压对所述偏置电路单元的偏置电压的耦合，所述反耦合结构单元包括依次串联的上拉通道、反耦合寄生模块和下拉通道，其中所述反耦合寄生模块的源极与所述上拉通道的漏极连接、漏极与所述下拉通道的漏极连接，且所述反耦合寄生模块的栅极与所述偏置电压连接，所述上拉通道和所述下拉通道的栅极与时钟信号连接。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 读取放大器及增强负载模块读取可靠性的方法和装置
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