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申请/专利权人：东海炭素株式会社
摘要：本发明旨在提供能够在被用作电极时实现均匀的等离子体蚀刻的多晶SiC成型体及其制造方法。多晶SiC成型体主面的Wa0～10mm为0.00～0.05μm以下，Wa10～20mm为0.13μm以下，Wa20～30mm为0.20μm以下。
主权项：1.一种多晶SiC成型体，所述多晶SiC成型体为具有相对的2个主面的膜，其中，所述2个主面包括第一主面和第二主面，关于分别从所述第一主面的截面曲线中提取的、与规定波长范围对应的算术平均波纹度Wa以及从所述第二主面的截面曲线中提取的、与规定波长范围对应的算术平均波纹度Wa，当所述波长范围为0～10mm时，所述Wa为0.04μm以上且0.05μm以下；当所述波长范围为10～20mm时，所述Wa为0.06μm以上且0.13μm以下；且，当所述波长范围为20～30mm时，所述Wa为0.08μm以上且0.20μm以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东海炭素株式会社 一种多晶SiC成型体、其制造方法及等离子体蚀刻方法
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