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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：集成PN结和肖特基结的平面栅MOSFET及制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备若干间隔的P体区，在P体区内制备N+区，在N+区内制备若干间隔的P沟道区；步骤S200，在外延片上制备栅介质，并在P沟道区上方的栅介质上制备若干间隔设置的多晶硅；步骤S300，在外延片上沉积隔离层，开窗制备穿过N+区，并伸入P体区内的源极沟槽；步骤S400，在源极沟槽底部制备N区，N区和外延片N型耐压区连接；步骤S500，在N区顶面制备肖特基接触金属，与N区形成肖特基接触，肖特基接触金属上表面低于N+区下表面；本发明制备的增强体二极管续流能力的平面栅MOSFET及其制备方法，具备更优异的性能优势和工艺优势。
主权项：1.集成PN结和肖特基结的平面栅MOSFET制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在外延片（1）内制备若干间隔的P体区（2），在P体区（2）内制备N+区（3），在N+区（3）内制备若干间隔的P沟道区（4）；步骤S200，在外延片（1）上制备栅介质（5），并在P沟道区（4）上方的栅介质（5）上制备若干间隔设置的多晶硅（6）；步骤S300，在外延片上沉积隔离层（7），开窗制备穿过N+区（3），并伸入P体区（2）内的源极沟槽（8）；步骤S400，在源极沟槽（8）底部制备N区（9），N区（9）和外延片N型耐压区（16）连接；步骤S500，在N区（9）顶面制备肖特基接触金属（10），与N区（9）形成肖特基接触，肖特基接触金属（10）上表面低于N+区（3）下表面；步骤S600，在源极沟槽（8）内制备欧姆接触金属（11），与P体区（2）和N+区（3）形成欧姆接触，源极槽内欧姆接触金属（11）和肖特基接触金属（10）共同组成源极金属；步骤S700，在多晶硅（6）处开窗，制备栅极金属（13），在外延片（1）背面制备漏极金属（14），整个器件制备完毕。
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