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约瑟夫森结及其制备方法 

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申请/专利权人:本源量子计算科技(合肥)股份有限公司

摘要:本发明公开了一种约瑟夫森结及其制备方法。制备方法包括:提供衬底,形成第一光刻胶层于衬底上,第一光刻胶层具有贯穿的第一沟道,第一沟道包括上沟道和宽度大于上沟道的下沟道,上沟道位于下沟道开口上方;沿垂直第一沟道方向进行倾斜蒸镀,在第一沟道内的衬底上形成与第一沟道平行且至少部分位于遮挡区域的第一超导线;剥离第一光刻胶层,形成第二光刻胶层于衬底上,第二光刻胶层具有与第一沟道结构相同且与第一沟道垂直的第二沟道;在第二沟道内的第一超导线表面形成势垒层;沿垂直第二沟道方向进行倾斜蒸镀,在第二沟道内的衬底上形成与势垒层垂直交叠且至少部分位于遮挡区域的第二超导线。本发明能够利用低分辨率UV光刻机制备约瑟夫森结。

主权项:1.一种约瑟夫森结的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底,形成第一光刻胶层于所述衬底上,所述第一光刻胶层具有贯穿的第一沟道,所述第一沟道包括上沟道和宽度大于所述上沟道的下沟道,所述上沟道位于所述下沟道开口上方,使所述下沟道内的衬底被部分遮挡;沿垂直所述第一沟道方向进行倾斜蒸镀,在所述第一沟道内的衬底上形成与所述第一沟道平行且至少部分位于遮挡区域的第一超导线;剥离所述第一光刻胶层,形成第二光刻胶层于所述衬底上,所述第二光刻胶层具有与所述第一沟道结构相同且与所述第一沟道垂直的第二沟道;在所述第二沟道内的第一超导线表面形成势垒层;沿垂直所述第二沟道方向进行倾斜蒸镀,在所述第二沟道内的衬底上形成与所述势垒层垂直交叠且至少部分位于所述遮挡区域的第二超导线。

全文数据:

权利要求:

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