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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
摘要：本公开涉及用于磁场传感器的磁隧道结器件。提供了包括磁隧道结器件的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括具有第一侧壁的第一电极、具有面向第一电极的第一侧壁的第二侧壁的第二电极、与第一电极的第一侧壁相邻的钉扎层、与第二电极的第二侧壁相邻的自由层，以及位于自由层和钉扎层之间的隧道势垒层。
主权项：1.一种用于磁场传感器的结构，所述结构包括：第一磁隧道结器件，其包括具有第一侧壁的第一电极、具有面向所述第一电极的所述第一侧壁的第二侧壁的第二电极、与所述第一电极的所述第一侧壁相邻的第一钉扎层、与所述第二电极的所述第二侧壁相邻的第一自由层，以及位于所述第一自由层和所述第一钉扎层之间的第一隧道势垒层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 用于磁场传感器的磁隧道结器件
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