龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海功成半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1提供第一衬底并形成氧化层；2将第一衬底与第二衬底键合，减薄第二衬底；3基于光掩模，通过光刻‑刻蚀工艺在第二衬底刻蚀出贯通至氧化层呈倒梯形的沟槽；4将第二衬底与第三衬底键合；5去除第一衬底，并通过腐蚀去除氧化层，以显露沟槽的底部；6对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本发明通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。
主权项：1.一种超结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一主面及第二主面，于所述第一主面形成氧化层；2提供第二衬底，所述第二衬底包括相对的第一主面及第二主面，将所述第一衬底的第一主面与所述第二衬底的第二主面键合，自所述第二衬底的第一主面减薄所述第二衬底；3基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第二衬底的第一主面刻蚀出贯通至所述氧化层的沟槽，所述沟槽呈倒梯形；4提供第三衬底，将所述第二衬底的第一主面与所述第三衬底键合；5去除所述第一衬底，并通过腐蚀去除所述氧化层，以显露所述倒梯形的沟槽的底部；6基于与步骤3的所述光掩模图形相同的硬掩膜版，通过所述硬掩膜版与所述沟槽对准后，直接对所述沟槽的底部进行刻蚀，以增大所述沟槽的底部宽度，使所述沟槽的形貌概呈矩形；7所述第二衬底为第一导电类型掺杂，于所述沟槽中填充第二导电类型掺杂的半导体材料层，以与所述第二衬底共同形成超结结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 超结器件及制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号