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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种超结器件的制备方法，在形成柱形注入区之后，在硬掩膜层中的深沟槽内填充光刻胶层，并且循环执行刻蚀部分厚度的光刻胶层+刻蚀部分厚度的硬掩膜层的步骤至少一次，将硬掩膜层的厚度刻蚀至满足研磨工艺要求所需的厚度及以下时，接着去除深沟槽中的剩余厚度的光刻胶层，最后研磨去除剩余厚度的硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层。本申请的超结器件的制备方法中，硬掩膜层的去除过程避开了传统的湿法刻蚀工艺，从而避免了由于湿法刻蚀工艺时间过长以及衬底表面保留的刻蚀阻挡层不够阻挡湿法清洗溶液，使得沟槽栅结构被湿法刻蚀溶液破坏等一系列问题，提高了超结器件的良率，改善了超结器件的电性能。
主权项：1.一种超结器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽栅结构，所述衬底表面形成有刻蚀阻挡层和硬掩膜层；步骤2：刻蚀所述硬掩膜层以形成多个深沟槽；步骤3：以所述硬掩模层为掩膜，通过离子注入工艺在所述深沟槽底部的衬底中形成柱形注入区，所述柱形注入区位于所述沟槽栅结构之间；步骤4：形成光刻胶层，所述光刻胶层填充所述深沟槽；步骤5：刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层；步骤6：刻蚀部分厚度的所述硬掩膜层，所述硬掩膜层的剩余厚度小于所述光刻胶层的剩余厚度；其中，所述步骤5至所述步骤6至少执行一次；步骤7：去除位于所述深沟槽中的剩余厚度的所述光刻胶层；步骤8：研磨去除剩余厚度的所述硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 超结器件的制备方法
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