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申请/专利权人：浙江广芯微电子有限公司
摘要：本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置，涉及半导体制造技术领域，包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，并进行能效关联参数的关键度分析，建立关键能效参数；配置理想仿真模型进行应用场景集合的模拟测试，记录模拟测试结果，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现；利用应用场景集合搭建测试场景，执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；对齐场景能效测试结果和理想能效表现，建立场景能效和寄生能效损失；根据场景能效和寄生能效损失进行应用场景能效管理。本申请解决了现有方法难以捕捉应用场景差异和寄生效应对能效的影响，导致能效分析不够全面和准确的技术问题，提高了能效分析的准确性与全面性。
主权项：1.沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数；配置沟槽肖特基二极管的理想仿真模型，通过应用场景集合进行理想仿真模型的模拟测试，根据关键能效参数进行模拟测试结果记录，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现，所述理想能效表现与应用场景集合具有映射关系；利用应用场景集合搭建测试场景，并基于测试场景执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；将场景能效测试结果和理想能效表现进行数据对齐后，利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失；根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江广芯微电子有限公司 沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置
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