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申请/专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
摘要：本发明提供了一种二极管及其制造方法，二极管包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区，从所述外延层远离所述衬底的一面延伸至所述外延层内，所述第一掺杂区与所述外延层的掺杂类型相反；第一绝缘介质层，位于所述外延层上，所述第一绝缘介质层中形成有暴露出所述第一掺杂区的第一开口；多晶硅层，位于所述第一开口暴露出的所述第一掺杂区上，所述多晶硅层与所述第一掺杂区的掺杂类型相同；第二掺杂区，从所述多晶硅层远离所述衬底的一面延伸至部分所述多晶硅层中，所述第二掺杂区与所述多晶硅层的掺杂类型相反。本发明使得在降低二极管的电容的同时，还能避免影响二极管的电流导通能力和击穿电压等参数。
主权项：1.一种二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区，从所述外延层远离所述衬底的一面延伸至所述外延层内，所述第一掺杂区与所述外延层的掺杂类型相反；第一绝缘介质层，位于所述外延层上，所述第一绝缘介质层中形成有暴露出所述第一掺杂区的第一开口；多晶硅层，位于所述第一开口暴露出的所述第一掺杂区上，所述多晶硅层与所述第一掺杂区的掺杂类型相同；第二掺杂区，从所述多晶硅层远离所述衬底的一面延伸至部分所述多晶硅层中，所述第二掺杂区与所述多晶硅层的掺杂类型相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州士兰集成电路有限公司 二极管及其制造方法
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