买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本申请提供一种闪存器件的制造方法，通过将刻蚀存储区的第二侧墙外侧的控制栅层的步骤安排在制备外围逻辑区栅极的步骤之前，并且在刻蚀存储区的第二侧墙外侧的控制栅层以制备最终的控制栅之后以及在制备外围逻辑区栅极之前，先淀积第一材料层，然后通过刻蚀第一材料层，额外制备存储区的第三侧墙，最后在形成外围逻辑区栅极之后，形成存储区的第四侧墙和外围逻辑区的侧墙结构，本申请可以在保持外围逻辑区的侧墙结构厚度不变的情况下，在存储区额外形成第三侧墙，从而增厚闪存单元的位线和源线之间的侧墙结构的总厚度，既避免了存储区闪存单元的位线与位线之间的击穿电压降低甚至位线短路的情况，又不会额外增加外围逻辑区的侧墙结构厚度。

主权项：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含存储区和外围逻辑区，其中，所述存储区的衬底上形成有衬垫氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层、第一硬掩膜层、隧穿氧化层、第一侧墙、第二侧墙、源线多晶硅层、保护层、第二硬掩膜层；所述外围逻辑区的衬底上形成有栅氧化层；形成多晶硅材料层，所述多晶硅材料层覆盖所述存储区的第二硬掩膜层和外围逻辑区的栅氧化层；去除所述存储区的多晶硅材料层、第二硬掩膜层和第一硬掩膜层；去除所述存储区的所述第二侧墙外侧的控制栅层、ONO层、浮栅层和衬垫氧化层；形成第一材料层，所述第一材料层覆盖所述存储区的保护层以及第二侧墙外侧面、控制栅层外侧面、ONO层外侧面、浮栅层外侧面和衬垫氧化层外侧面以及部分衬底表面，以及覆盖所述外围逻辑区的多晶硅材料层；刻蚀去除所述存储区的保护层表面和部分衬底表面上的第一材料层以及所述外围逻辑区的多晶硅材料层表面上的第一材料层，以得到所述存储区的第三侧墙；刻蚀所述外围逻辑区的多晶硅材料层，以得到所述外围逻辑区的栅极；形成所述存储区的第四侧墙和所述外围逻辑区的侧墙结构，所述第四侧墙位于所述第三侧墙侧，所述侧墙结构位于所述栅极的两侧，其中，所述第三侧墙和所述第四侧墙构成所述存储区的位线和源线之间的侧墙结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 闪存器件的制造方法