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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：与p‑n结集成的MOSFET，所述p‑n结被布置为所述MOSFET的源极接触和漏极接触之间的钳位二极管；其中，所述MOSFET限定第一击穿电压，并且所述钳位二极管限定第二击穿电压，其中，所述第一击穿电压大于所述第二击穿电压，使得所述钳位二极管被配置和布置为接收低雪崩电流，并且所述MOSFET被配置和布置为接收高雪崩电流。
主权项：1.一种半导体器件，包括：与p-n结集成的MOSFET，其中，所述p-n结被布置为钳位二极管，所述钳位二极管提供了所述MOSFET的源极接触和漏极接触之间的钳位电阻，所述p-n结包括由至少一个浅导电沟槽形成的接触端子，所述至少一个浅导电沟槽被配置为改变所述钳位电阻；其中，所述MOSFET限定第一击穿电压，并且所述钳位二极管限定第二击穿电压；其中，所述第一击穿电压大于所述第二击穿电压，使得所述钳位二极管被配置和布置为接收低雪崩电流；其中，所述MOSFET被配置和布置为接收高雪崩电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 具有集成钳位二极管的半导体器件
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