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申请/专利权人:珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要:本申请公开了一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括多个第一外延结构,第一外延结构包括第二外延层和第一导电层,第二外延层位于第一外延沟槽的内表面,第一导电层位于第一外延沟槽中,其中,第二外延层具有第二掺杂类型,第二外延层和第一导电层形成肖特基接触;至少一个第二外延结构,第二外延结构包括第三外延层和第二导电层,第三外延层位于第二外延沟槽的内表面,第二导电层位于第二外延沟槽中,其中,第三外延层具有第二掺杂类型,其中,第一导电层和第二导电层具有不同的导电材料,第三外延层具有第二掺杂类型,第三外延层和第二导电层形成欧姆接触。以解决相关技术中功率器件性能优势不明显的问题。
主权项:1.一种功率二极管,其特征在于,包括衬底以及位于所述衬底上第一外延层,所述第一外延层具有第一掺杂类型,所述第一外延层在背离所述衬底的一侧具有多个第一外延沟槽和至少一个第二外延沟槽,所述第二外延沟槽位于任意相邻的所述第一外延沟槽之间,所述功率二极管还包括:多个第一外延结构,所述第一外延结构位于所述第一外延沟槽中,所述第一外延结构包括第二外延层和第一导电层,所述第二外延层位于所述第一外延沟槽的内表面,所述第一导电层位于所述第一外延沟槽中,其中,所述第二外延层具有第二掺杂类型,所述第二外延层和所述第一导电层形成肖特基接触;至少一个第二外延结构,所述第二外延结构位于所述第二外延沟槽中,所述第二外延结构包括第三外延层和第二导电层,所述第三外延层位于所述第二外延沟槽的内表面,所述第二导电层位于所述第二外延沟槽中,其中,所述第一导电层和所述第二导电层具有不同的导电材料,所述第三外延层具有所述第二掺杂类型,所述第三外延层和所述第二导电层形成欧姆接触。
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