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申请/专利权人：国网智能电网研究院有限公司;华北电力大学
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管终端结构和二极管器件，涉及半导体技术领域，场效应晶体管终端结构包括设置于二极管器件漂移区上部的主结、场限环和沟槽结构，场限环为多个，主结设置于漂移区靠近二极管器件的有源器件的一端，沟槽结构设置于漂移区远离有源器件的一端，所有场限环均设置于主结与沟槽结构之间，沟槽结构内填充有绝缘介质。二极管器件包括相互连接的有源器件和场效应晶体管终端结构。本发明能够提高场效应晶体管终端结构的电场均匀性，进而能够提高二极管器件的耐压能力，且能够为二极管器件的绝缘设计提供较好的指导意义。
主权项：1.一种场效应晶体管终端结构，其特征在于：包括设置于二极管器件漂移区上部的主结、场限环和沟槽结构，所述场限环为多个，所述主结设置于所述漂移区靠近所述二极管器件的有源器件的一端，所述沟槽结构设置于所述漂移区远离所述有源器件的一端，所有所述场限环均设置于所述主结与所述沟槽结构之间，所述沟槽结构内填充有绝缘介质。
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百度查询： 国网智能电网研究院有限公司 华北电力大学 场效应晶体管终端结构和二极管器件
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