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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
摘要：一种测试结构、测试结构的测试方法，其中测试结构包括：衬底，所述衬底具有有源区；位于所述衬底上的测试栅极，所述测试栅极横跨所述有源区，且所述测试栅极覆盖所述有源区的部分表面；位于所述测试栅极一侧的所述有源区内的测试源区；位于所述测试栅极另一侧的所述有源区内的测试漏区；位于所述测试栅极上且分别与所述测试栅极电连接的第一栅极测试键和第二栅极测试键。通过在MOS晶体管的所述测试栅极上增设所述第一栅极测试键和所述第二栅极测试键，进而可以基于所述第一栅极测试键和所述第二栅极测试键实现对所述测试栅极的阻值的量测，无需再单独制作所述测试栅极以实现对栅极电阻值的量测，进而能够有效减少额外占用的芯片面积。
主权项：1.一种测试结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有有源区；位于所述衬底上的测试栅极，所述测试栅极横跨所述有源区，且所述测试栅极覆盖所述有源区的部分表面；位于所述测试栅极一侧的所述有源区内的测试源区；位于所述测试栅极另一侧的所述有源区内的测试漏区；位于所述测试栅极上且分别与所述测试栅极电连接的第一栅极测试键和第二栅极测试键。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 测试结构、测试结构的测试方法
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