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申请/专利权人:深圳爱仕特科技有限公司
摘要:本实用新型涉及涉及半导体技术领域,特别涉及一种结势垒肖特基二极管,包括外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触层、第一电极,外延层具有相对的第一表面和第二表面;外延层中形成有多个间隔设置于第一表面一侧的P型区;肖特基金属层设置于外延层的第一表面上;第一欧姆接触层设置于第一表面一侧的P型区表面上;第一电极覆盖第一表面一侧的肖特基金属层和第一欧姆接触层;其中,位于第一表面上的P型区宽度小于位于外延层内的P型区宽度。通过上述对P型区的设计可以明显降低P型区边缘拐角电场集中的效应,从而有效提高反向击穿电压。
主权项:1.一种结势垒肖特基二极管,其特征在于,包括:外延层,具有相对的第一表面和第二表面;所述外延层中形成有多个间隔设置于所述第一表面一侧的P型区;肖特基金属层,设置于所述外延层的第一表面上;第一欧姆接触层,设置于所述第一表面一侧的P型区表面上;第一电极,覆盖第一表面一侧的所述肖特基金属层和第一欧姆接触层;其中,位于所述第一表面上的P型区宽度小于位于所述外延层内的P型区宽度。
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