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申请/专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
摘要：本申请涉及二极管技术领域，具体而言，涉及一种肖特基势垒二极管及其制备方法，通过设置由n+‑GaN层、n‑‑GaN层和p+‑GaN层靠近阴极金属电极的侧面组成倾斜壁，该倾斜壁的结构降低了阳极金属电极附近的电场拥挤效应，从而提高了该肖特基势垒二极管的击穿电压，并且肖特基势垒二极管采用了准垂直结构设计，避免了横向结构存在的芯片面积大和正向电流密度低的缺点，同时结合了准垂直结构所具有的大电流和高击穿电压的优点，实现了肖特基势垒二极管具有低功耗、高功率的优势，适用于高频整流应用。
主权项：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括衬底（01）、AlN成核层（02）、UID-GaN层（03）、n-GaN层（04）、n+-GaN层（06）、n--GaN层（07）、p+-GaN层（08）、阳极金属电极（09）和阴极金属电极（05）；所述衬底（01）、所述AlN成核层（02）、所述UID-GaN层（03）和所述n-GaN层（04）从下至上依次层叠设置；所述阴极金属电极（05）设置在所述n-GaN层（04）的顶部且位于所述n-GaN层（04）的其中一侧；所述n+-GaN层（06）和所述n--GaN层（07）从下至上依次层叠设置在所述n-GaN层（04）的顶部远离所述阴极金属电极（05）的一侧；所述阳极金属电极（09）设置在所述n--GaN层（07）的顶部远离所述阴极金属电极（05）的一侧；所述p+-GaN层（08）设置在所述n--GaN层（07）的顶部靠近所述阴极金属电极（05）的一侧；所述n+-GaN层（06）、所述n--GaN层（07）和所述p+-GaN层（08）靠近所述阴极金属电极（05）的侧面组成倾斜壁，所述倾斜壁从下至上与所述阴极金属电极（05）的距离逐渐增大。
全文数据：
权利要求：
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