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申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明降低使用氧化镓的结势垒肖特基二极管的导通电阻。结势垒肖特基二极管1具备：由氧化镓构成的半导体基板20和漂移层30；与漂移层30接触的阳极电极40和p型半导体层60；与阳极电极40和漂移层30接触的n型半导体层70；设置在n型半导体层70与p型半导体层60之间的金属层80；和与半导体基板20接触的阴极电极50。由此，n型半导体层70作为电流路径发挥作用，所以在pn结部分流过正向电流为止的期间的导通电阻降低。
主权项：1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于：具备：由氧化镓构成的半导体基板；设置在所述半导体基板上的由氧化镓构成的漂移层；与所述漂移层接触的阳极电极和p型半导体层；与所述阳极电极和所述漂移层接触的n型半导体层；设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的金属层；和与所述半导体基板接触的阴极电极。
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