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申请/专利权人：济南晶恒电子有限责任公司

摘要：本发明公开了一种集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺，SGT功率MOS器件包括第一导电类型的漏极区和外延层，在外延层上设置开口向上的沟槽，在沟槽内上设置填充有第一多晶硅的厚氧化层，在第一多晶硅上方沟槽内设置有填充有第二多晶硅的栅氧化层，在外延层上部且位于所述沟槽的四周设置有第二导电类型的阱区层；在阱区层上方设置有源极区层，在源极区层和沟槽上方设置有绝缘介质层，在绝缘介质层上开设若干接触孔，所述接触孔与外延层、阱区层和源极区层相连接；在绝缘介质层上方敷设金属区层；所述接触孔内设置有金属。本发明提高了SGT功率MOS器件反向恢复速度；降低了SGT功率MOS器件正向导通功耗。

主权项：1.一种集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件，包括位于所述SGT功率MOS器件底部第一导电类型的漏极区（1）以及从漏极区（1）上表面向上延伸第一导电类型的外延层（2），其特征是，在所述外延层（2）上设置开口向上的沟槽（3），在所述沟槽（3）的底部和下端内侧面上设置有氧化层（4），在氧化层（4）内部填充有第一多晶硅（5），所述第一多晶硅（5）的上表面与氧化层（4）的上表面齐平；在所述第一多晶硅（5）上方沟槽（3）内设置有栅氧化层（6），所述栅氧化层（6）的底部与第一多晶硅（5）上表面和氧化层（4）的上表面相连，栅氧化层（6）的外侧面与沟槽（3）的上端内侧面相连，在栅氧化层（6）的内部填充有第二多晶硅（7），所述第二多晶硅（7）的上表面与栅氧化层（6）的上表面齐平；在外延层（2）上部且位于所述沟槽（3）的四周设置有第二导电类型的阱区层（8）；在沟槽顶部四周的阱区层（8）上方设置有源极区层（9），在源极区层（9）和沟槽（3）上方设置有绝缘介质层（10），在绝缘介质层（10）上开设若干接触孔（11），所述接触孔（11）与外延层（2）、阱区层（8）和源极区层（9）相连接；在绝缘介质层（10）上方敷设金属区层（12）；所述接触孔（11）设置有金属；所述接触孔（11）内的金属分别与第一导电类型外延层（2）、第二导电类型阱区层（8）和源极区层（9）相接触；所述接触孔（11）内的金属与第一导电类型外延层（2）形成欧姆接触。

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