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申请/专利权人：旭矽半导体(上海)有限公司;龙腾半导体股份有限公司
摘要：本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件的制备方法，在第二沟槽区的侧壁和底部形成多晶硅层，所述多晶硅层包括位于所述第二沟槽区侧壁的第一介质层表面的侧壁多晶硅层，以及位于所述第一氧化层表面的底面多晶硅层，所述底面多晶硅层的厚度厚于所述侧壁多晶硅层的厚度；氧化所述侧壁多晶硅层和所述底面多晶硅层，直至所述侧壁多晶硅层全部氧化成初始第二氧化层，所述底面多晶硅层部分氧化成所述初始第二氧化层；去除所述初始第二氧化层以及位于所述第二沟槽区的侧壁的第一介质层，直至暴露出所述第一氧化层上的剩余的底面多晶硅层；氧化所述剩余的底面多晶硅层，在所述第一氧化层上形成第二氧化层，从而避免出现第一氧化层过薄。
主权项：1.一种SGT-MOSFET半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有深沟槽，所述深沟槽具有第一沟槽区以及第二沟槽区，所述第二沟槽区与所述第一沟槽区相连且位于所述第一沟槽区上方；在所述深沟槽的侧壁和底部形成第一介质层；在所述第一沟槽区的第一介质层上形成栅结构，所述栅结构填充所述第一沟槽区；在所述栅结构上形成第一氧化层；在所述第二沟槽区的侧壁和底部形成多晶硅层，所述多晶硅层包括位于所述第二沟槽区侧壁的第一介质层表面的侧壁多晶硅层，以及位于所述第一氧化层表面的底面多晶硅层，所述底面多晶硅层的厚度厚于所述侧壁多晶硅层的厚度；氧化所述侧壁多晶硅层和所述底面多晶硅层，直至所述侧壁多晶硅层全部氧化成初始第二氧化层，所述底面多晶硅层部分氧化成所述初始第二氧化层；去除所述初始第二氧化层以及位于所述第二沟槽区的侧壁的第一介质层，直至暴露出所述第一氧化层上的剩余的底面多晶硅层；氧化所述剩余的底面多晶硅层，在所述第一氧化层上形成第二氧化层。
全文数据：
权利要求：
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