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申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
摘要：本发明公开一种抗dvdt的SGT器件，包括：第一导电类型的衬底、位于第一导电类型的衬底的上表面的第一导电类型的外延层、位于第一导电类型的外延层内的沟槽、第一介质层、位于沟槽底部的第一导电类型的轻掺杂体区、位于第一介质层外围的第一导电类型的重掺杂体区、位于第一导电类型的外延层侧面上方的源极金属、位于沟槽上表面的第二介质层，以及位于沟槽内的多晶硅栅极和屏蔽栅极。本发明可以增大漏源电容Cds，减少开关震荡，从而减少器件的电压震荡dvdt失效可能性。
主权项：1.一种抗dvdt的SGT器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于第一导电类型的衬底的上表面；沟槽，位于第一导电类型的外延层内，且沿第一导电类型的外延层的厚度方向延伸；所述沟槽内设有多晶硅栅极和屏蔽栅极；第一介质层，位于屏蔽栅极的底面及侧面、多晶硅栅极的侧面，以及用于隔离多晶硅栅极与屏蔽栅极；第一导电类型的轻掺杂体区，位于沟槽的底部，且位于屏蔽栅极的下方；第一导电类型的重掺杂体区，位于屏蔽栅极外围的第一介质层与沟槽的下部侧壁之间，以及位于屏蔽栅极外围的第一介质层与第一导电类型的轻掺杂体区的上表面之间；源极金属，位于第一导电类型的外延层侧面上方，且沿第一导电类型的外延层的厚度方向延伸；第二介质层，位于沟槽的上表面，且沿垂直于沟槽的延伸方向延伸至与源极金属的侧壁相接触；所述屏蔽栅极包括一个宽部栅极及若干个窄部栅极，且宽部栅极位于窄部栅极的上方；所述若干个窄部栅极沿垂直于沟槽延伸的方向间隔排布；所述宽部栅极的宽度大于窄部栅极的宽度，且宽部栅极的长度小于窄部栅极的长度；所述宽部栅极、窄部栅极与源极金属电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市威兆半导体股份有限公司 一种抗dv/dt的SGT器件
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