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申请/专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
摘要：本申请提供一种dvdt可控的IGBT半导体器件及其制造方法，IGBT半导体器件包括外延层、发射极以及多晶硅，外延层设置有由外延层的表面向外延层中延伸的多个阱区，多个阱区包括沿第一方向设置的第一区域和第二区域，第一区域的深度小于第二区域的深度，外延层开设有第一沟槽以及第二沟槽，第一沟槽位于第一区域，第二沟槽位于第一区域和第二区域的交界处，发射极设置于外延层上，发射极位于第一区域并围绕第一沟槽的至少部分周边，第一沟槽和第二沟槽内均填充有多晶硅，多晶硅与外延层绝缘设置，第二沟槽内的多晶硅和第一沟槽内的多晶硅相导通构成IGBT半导体器件的栅极来提高关断速度，同时具有宽的dvdt控制能力，极大降低IGBT半导体器件的关断损耗。
主权项：1.一种dvdt可控的IGBT半导体器件，其特征在于，包括：外延层，设置有由所述外延层的表面向所述外延层中延伸的多个阱区，多个所述阱区包括沿第一方向设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的深度小于所述第二区域的深度，所述外延层开设有第一沟槽以及第二沟槽，所述第一沟槽位于第一区域，所述第二沟槽位于所述第一区域和所述第二区域的交界处；发射极，设置于所述外延层上，所述发射极位于所述第一区域并围绕所述第一沟槽的至少部分周边；多晶硅，所述第一沟槽和所述第二沟槽内均填充有所述多晶硅，所述多晶硅与所述外延层绝缘设置，所述第二沟槽内的多晶硅和所述第一沟槽内的多晶硅相导通，构成所述IGBT半导体器件的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞能半导体科技股份有限公司 dv/dt可控的IGBT半导体器件及其制造方法
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