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一种IGBT功率模块 

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申请/专利权人:深圳市中舜半导体科技有限公司

摘要:本实用新型提供了一种IGBT功率模块,包括散热层、底板、DBC板、第一芯片、第二芯片、填充件以及电镀件,底板贴合设置于散热层的一侧,DBC板连接于底板的背离散热层的一侧,第一芯片和第二芯片均连接于DBC板的背离底板的一侧,第一芯片具有第一顶部电极,第二芯片具有第二顶部电极和第三顶部电极,电镀件电连接于第一顶部电极、第二顶部电极和第三顶部电极,填充件结合于DBC板的背离底板的一侧且包覆第一芯片、第二芯片、第一顶部电极、第二顶部电极和第三顶部电极。本方案无需采用单个模块多次连接多根键合引线的方式实现电连接,可以大批量的IGBT功率模块一次性电镀形成电镀件,效率更高,不会出现电镀件位置偏移的问题,封装一致性好,质量高。

主权项:1.一种IGBT功率模块,其特征在于,包括散热层、底板、DBC板、第一芯片、第二芯片、填充件以及电镀件,所述底板贴合设置于所述散热层的一侧,所述DBC板连接于所述底板的背离所述散热层的一侧,所述第一芯片和所述第二芯片均连接于所述DBC板的背离所述底板的一侧,所述第一芯片具有第一顶部电极,所述第二芯片具有第二顶部电极和第三顶部电极,所述电镀件电连接于所述第一顶部电极、所述第二顶部电极和所述第三顶部电极,所述填充件结合于所述DBC板的背离所述底板的一侧且包覆所述第一芯片、所述第二芯片、所述第一顶部电极、所述第二顶部电极和所述第三顶部电极。

全文数据:

权利要求:

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