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申请/专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种混合栅IGBT结构及制备方法。混合栅IGBT结构包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面生长有第一导电类型的外延层，外延层的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构。其特点是，所述元胞结构含有依次设置有沟槽栅和平面栅，沟槽栅和平面栅间有发射极结构。该混合栅IGBT结构短路能力强，EMI噪声低，折中特性更优。
主权项：1.一种混合栅IGBT结构，包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面生长有第一导电类型的外延层，外延层的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构；其特征在于，所述元胞结构含有依次设置有沟槽栅和平面栅，沟槽栅和平面栅间有发射极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种混合栅IGBT结构及其制备方法
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