买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司

摘要：本发明公开了一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属上方的中部设置有栅极介质，所述栅极介质的外侧设置有n+衬底，所述n+衬底的上方设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层的上方设置有Si‑低阻层，所述Si‑低阻层的上方设置有n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属，所述栅极介质的介质槽内设置有栅极金属。通过采用纵向自下而上的结构设计，结合了沟槽栅技术，有效增强了栅极的控制能力，同时通过在n+源区下方引入Si‑低阻层，显著降低了导通电阻；电流阻挡层的宽禁带氧化镓材料使得器件能够承受更高的电压，同时减小了漏电流，不仅提高了器件的性能，也降低了制造成本。

主权项：1.一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属上方的中部设置有栅极介质，所述栅极介质的外侧设置有位于漏极金属上方的n+衬底，所述n+衬底的上方设置有位于栅极介质外侧的电流阻挡层，所述电流阻挡层的上方设置有Si-低阻层，所述Si-低阻层的上方设置有位于栅极介质外侧的n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属；所述栅极介质的介质槽内设置有栅极金属，所述栅极金属与n+源区、栅极介质的高度齐平；该器件的制备方法，包括以下具体步骤：S1、在n+衬底的β型氧化镓材料上方淀积一层保护层，刻蚀出栅极介质的通孔，沿通孔进行氧化镓的刻蚀，形成栅极介质，刻蚀深度为1.2μm，再沿通孔进行对栅极介质进行氧化铝的淀积，在1200℃条件下将铝的金属有机物气化后利用载气和氧气一起通入方氧化镓材料反应室，发生化学反应，反应的生成物沉积形成氧化铝薄膜；S2、在n+衬底β的型氧化镓材料上方采用氢化物气相磊晶法生长一层电流阻挡层；S3、在电流阻挡层的上方淀积一层阻挡层，再次刻蚀出栅极介质的通孔，沿通孔进行氧化镓的刻蚀，形成栅极介质的介质槽；S4、再沿步骤S3中的通孔进行对介质槽进行氧化铝的淀积，在800℃条件下将铝的金属有机物气化后利用载气和氧气一起通入方氧化镓材料反应室，发生化学反应，反应的生成物沉积形成氧化铝薄膜；S5、刻蚀出栅极金属的通孔，沿通孔采用磁控溅射的方式，在氩气氛围内，高压对氩气产生辉光放电，撞击金属靶材，使其飞溅淀积在介质槽的内部；S6、去除步骤S3中形成的阻挡层，在栅极金属上重新淀积一层新的阻挡层，刻蚀出Si-低阻层区域，对Si-低阻层采用Si离子注入，注入能量为70-270kev；S7、沿着Si-低阻层区域，对Si-低阻层上方采用Sn离子注入，注入能量为10-70kev，形成n+源区；S8、去除步骤S3中形成的阻挡层，在n+源区上重新淀积一层新的阻挡层，刻蚀出源极金属区域，淀积源极金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件及其制备方法