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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件，该制备方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长多个层叠的氮化镓沟道层和势垒层，形成氮化镓异质结多沟道结构；在氮化镓异质结多沟道结构的顶层的源区域、漏区域，分别制备源、漏欧姆接触，形成源极和漏极；对栅区域进行干法刻蚀，终止于第一层势垒层表面，形成第一凹槽；栅区域位于源区域和漏区域之间；对目标区域进行沟道电子浓度降低处理，目标区域为第一层势垒层中位于第一凹槽的下方且偏向漏极的一侧的区域；基于第一凹槽制备栅金属，形成栅极。本申请既能提升器件的电流密度、降低导通电阻，又能改善器件的耐压性能。
主权项：1.一种用于改善功率特性的氮化镓器件结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上依次生长多个层叠的氮化镓沟道层和势垒层，形成氮化镓异质结多沟道结构；在所述氮化镓异质结多沟道结构的顶层的源区域、漏区域，分别制备源、漏欧姆接触，形成源极和漏极；对栅区域进行干法刻蚀，终止于第一层势垒层表面，形成第一凹槽；其中，所述栅区域位于所述源区域和漏区域之间；对目标区域进行沟道电子浓度降低处理，所述目标区域为所述第一层势垒层中位于所述第一凹槽的下方且偏向所述漏极的一侧的区域；基于所述第一凹槽制备栅金属，形成栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件
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