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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
摘要：一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法，自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，在势垒层和沟道层上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，凹槽内设置有阴电极，其余凹槽内设置阳电极，设置阳电极的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区；制备方法为：先清洗衬底层并在衬底层上依次生长复合缓冲层、复合沟道层和势垒层，再在部分势垒至部分沟道层形成多个P型区，然后再利用刻蚀技术刻蚀势垒层至沟道层中上部形成多个凹槽，在凹槽中分别生长阴电极和阳电极，最后淀积钝化层；本发明在横向氮化镓基异质结结构上实现了多个变容二极管并联，具有变容范围大、并且与氮化镓基射频器件工艺兼容的特点。
主权项：1.一种横向氮化镓基变容器结构，其特征在于，自下而上依次包括衬底层1、复合缓冲层2、复合沟道层3和势垒层4；所述复合沟道层3与势垒层4之间形成异质结，异质结极化在复合沟道层3一侧形成二维电子气；在势垒层4和部分复合沟道层3上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层4和二维电子气，至复合沟道层3中上部；部分凹槽内设置有阴电极6，其余凹槽内设置阳电极7，设置阳电极7的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区8；P型注入区8分别与靠近阴电极6一侧的势垒层4和部分复合沟道层3构成PN结，PN结与阴电极6分别与阳电极7连接形成PN结二极管，PN结二极管加压电容变化，构成可变电容器。
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百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院 一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法
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