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申请/专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司

摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件、芯片及电子设备。包括：氮化镓共漏双向器件主管、第一泄放结构、第二泄放结构、第一触发结构、第二触发结构。氮化镓双向开关器件开关过程中，当正向dvdt产生，衬底感应出正电荷时，第一泄放结构或者第二泄放结构导通，将衬底感应出的正电荷进行泄放，将衬底电位拉到低电位；当负向dvdt产生，衬底感应出负电荷时，通过第一触发结构、第二触发结构触发第一泄放结构或者第二泄放结构导通，使得衬底感应出的负电荷进行泄放，将衬底拉到低电位，使得氮化镓双向开关器件同时具有正向、负向dvdt的控制能力，有效地改善氮化镓双向开关器件的动态特性，提升系统效率和稳定性。

主权项：1.一种氮化镓双向开关器件，其特征在于，包括：氮化镓共漏双向器件主管、第一泄放结构、第二泄放结构、第一触发结构、第二触发结构；所述氮化镓共漏双向器件主管包括：第一源极、第二源极、第一栅极，第二栅极、衬底；所述第一泄放结构的一端、所述第一触发结构的一端与所述第一源极相连，所述第一泄放结构的另一端、所述第一触发结构的另一端与所述衬底相连，所述第二泄放结构的一端、所述第二触发结构的一端与所述第二源极相连，所述第二泄放结构的另一端、所述第二触发结构的另一端与所述衬底相连，所述第一栅极、所述第二栅极用于驱动所述氮化镓双向开关器件的开关；所述第一源极为低电位、所述第二源极由低电位到高电位，所述衬底感应出正电荷，所述衬底具有正的衬底电压，当所述正的衬底电压大于所述第一泄放结构的开启电压时，所述第二泄放结构、第一触发结构、所述第二触发结构截止，所述第一泄放结构导通，所述衬底感应出的正电荷通过所述第一泄放结构进行泄放，将所述衬底电位拉到低电位；所述第一源极为低电位、所述第二源极由高电位到低电位，所述衬底感应出负电荷，所述衬底具有负的衬底电压，所述第一触发结构导通且触发所述第一泄放结构导通，所述第二泄放结构、所述第二触发结构截止，所述衬底感应出的负电荷通过所述第一泄放结构进行泄放，将所述衬底电位拉到低电位；所述第二源极为低电位、所述第一源极由低电位到高电位，所述衬底感应出正电荷，所述衬底具有正的衬底电压，当所述正的衬底电压大于所述第二泄放结构的开启电压时，所述第一泄放结构、第一触发结构、所述第二触发结构截止，所述第二泄放结构导通，所述衬底感应出的正电荷通过所述第二泄放结构进行泄放，将所述衬底电位拉到低电位；所述第二源极为低电位、所述第一源极由高电位到低电位，所述衬底感应出负电荷，所述衬底具有负的衬底电压，所述第二触发结构导通且触发所述第二泄放结构导通，所述第一泄放结构、所述第一触发结构截止，所述衬底感应出的负电荷通过所述第二泄放结构进行泄放，将所述衬底电位拉到低电位。

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