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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种辐射制冷增强散热的氮化镓器件，主要解决现有GaN器件在大功率条件下，由于氮化镓材料导热率较低而导致的器件散热能力差，器件自热效应明显的问题。其自下而上包括:衬底层2、成核层3、缓冲层4、沟道层5、势垒层6和金属电极，金属电极的外围包裹有钝化层7，其中，该钝化层上表面的金属电极之间设有多个圆柱状上下复合材料SiO2Si3N4结构的辐射制冷层8；该衬底层的下表面设有银反射层1。本发明能减小了器件热阻，可将器件内部产生的热量通过辐射的方式快速散出，同时避免由于对氮化镓材料的损伤带来的电学性能损失，提高热量的反射效率和器件的散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。
主权项：1.一种采用辐射制冷提升散热性能的GaN器件，自下而上包括:衬底层2、成核层3、缓冲层4、沟道层5、势垒层6和钝化层7，该钝化层7两边的势垒层6上为源、漏电极，源、漏电极之间靠近源电极处的势垒层上为删电极，其特征在于：所述衬底层2，其下表面设有银反射层1，以有效传导器件内产生的热量，提高热量的反射效率，增强器件散热能力；所述的钝化层7，其上表面的金属电极之间设有多个上下复合的SiO2Si3N4圆柱状结构，形成辐射制冷层8，以增强器件的散热性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 采用辐射制冷提升散热性能的氮化镓器件及制备方法
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