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申请/专利权人:恩特格里斯公司
摘要:总的来说,本发明提供一种将氮化硅膜沉积到微电子器件衬底上的方法。所述方法使用选自卤代硅烷化合物、式R2NH化合物、氨基硅烷和氢气的前体和共反应物。如此形成的氮化硅膜具有增加的硅的比例,同时提供均匀厚度膜,也就是说高保形性,即使在高纵横比3DNAND结构中也是如此。
主权项:1.一种在微电子器件衬底上沉积氮化硅膜的方法,所述方法包括在气相沉积条件下使所述衬底与包括脉冲序列的序列性脉冲前体化合物接触,所述化合物包括:a.卤代硅烷化合物,b.氨基硅烷,和任选地c.式R2NH化合物,其中各R独立地是氢或与氢结合的C1-C4烷基。
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权利要求:
百度查询: 恩特格里斯公司 制备富硅氮化硅膜的方法
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