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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种氮化钽基异质结的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：优化氮氧化钽与氮化钽的晶胞结构；步骤S2：进行静态自洽与非自洽计算，获得稳定模型的能量、能带结构数据；步骤S3：对氮氧化钽与氮化钽进行切面，切面的晶向为方向；步骤S4：将氮氧化钽与氮化钽结合形成异质结，并测试层间距及位点；步骤S5：对测试好层间距与位点的异质结模型进行结构优化；步骤S6：进行自洽计算，获得稳定模型的能量，进而进行差分电荷密度、部分电荷密度与能带排列分析。对氮氧化钽与氮化钽进行切面，通过将氮化钽100方向与氮氧化钽100方向结合形成异质结，不仅能获得晶格相匹配的异质结构，还能提升其电荷传输效率，进而促进PEC性能的提高。
主权项：1.一种氮化钽基异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：优化氮氧化钽与氮化钽的晶胞结构；步骤S2：进行静态自洽与非自洽计算，获得稳定模型的能量、能带结构数据；步骤S3：对氮氧化钽与氮化钽进行切面，切面的晶向为方向；步骤S4：将氮氧化钽与氮化钽结合形成异质结，并测试层间距及位点；步骤S5：对测试好层间距与位点的异质结模型进行结构优化；步骤S6：进行自洽计算，获得稳定模型的能量，进而进行差分电荷密度、部分电荷密度与能带排列分析。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种氮化钽基异质结的制备方法
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