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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，下波导层包括第一高相干性下波导层和第二高相干性下波导层，所述第一高相干性下波导层位于所述第二高相干性下波导层的下方，所述上波导层、第一高相干性下波导层和第二高相干性下波导层中均具有电子迁移率特性和电子有效质量特性。本发明通过设计氮化镓基半导体激光器中上波导层和下波导层的电子迁移率和电子有效质量的变化角度及分布，调控波导层的载流子输运和波函数分布，提升激光的光子简并度，减少激光模数和纵模的模间变化，提升激光的时间相干性。
主权项：1.一种氮化镓基半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，其特征在于，所述下波导层包括第一高相干性下波导层和第二高相干性下波导层，所述第一高相干性下波导层位于所述第二高相干性下波导层的下方，所述上波导层、第一高相干性下波导层和第二高相干性下波导层中均具有电子迁移率特性和电子有效质量特性；所述上波导层的电子迁移率的谷值位置往有源层方向的上升角度为α，所述上波导层的电子迁移率的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为β，所述第二高相干性下波导层的电子迁移率的峰值位置往下包覆层方向的下降角度为γ，所述第二高相干性下波导层的电子迁移率的谷值位置往有源层方向的上升角度为θ，所述第一高相干性下波导层的电子迁移率的峰值位置往下包覆层方向的下降角度为δ，其中：50°≤β≤γ≤α≤θ≤δ≤90°；所述上波导层的电子有效质量的峰值位置往有源层方向的下降角度为σ，所述上波导层的电子有效质量的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为所述第二高相干性下波导层的电子有效质量的谷值位置往下包覆层方向的上升角度为ψ，所述第二高相干性下波导层的电子有效质量的峰值位置往有源层方向的下降角度为μ，所述第一高相干性下波导层的电子有效质量的谷值位置往下包覆层方向的上升角度为υ，其中：
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化镓基半导体激光器
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