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申请/专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种氧化镓晶体生长装置及生长方法，其中生长装置包括炉体、保温外壳、铱金坩埚、感应加热装置、烧结氧化镓块体和氧化镓籽晶块体。炉体能够调节炉内的气氛和压力。保温外壳为开口朝上的保温容器。保温外壳设置于炉体内。铱金坩埚放置于保温外壳内。感应加热装置用于在保温外壳内形成由下至上逐渐降温的热场。烧结氧化镓块体用于放置在铱金坩埚内。氧化镓籽晶块体用于放置在烧结氧化镓块体上。相比于现有技术，本发明的技术方案能够减少铱金的使用，提高晶体的质量，并提高晶体生长的可控性。
主权项：1.一种氧化镓晶体生长装置，其特征在于，包括：炉体，所述炉体能够调节炉内的气氛和压力；保温外壳，所述保温外壳为开口朝上的保温容器；所述保温外壳设置于所述炉体内；铱金坩埚，所述铱金坩埚放置于所述保温外壳内；感应加热装置，所述感应加热装置用于在所述保温外壳内形成由下至上逐渐降温的热场；烧结氧化镓块体，所述烧结氧化镓块体用于放置在所述铱金坩埚内；氧化镓籽晶块体，所述氧化镓籽晶块体用于放置在所述烧结氧化镓块体上。
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权利要求：
百度查询： 杭州镓仁半导体有限公司 氧化镓晶体生长装置及生长方法
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