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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明公开了一种晶体管器件及晶体管器件的制造方法，包括：衬底、栅极堆叠结构和选择栅，栅极堆叠结构设置在衬底上，其中，栅极堆叠结构至少包括浮栅和控制栅；选择栅设置在栅极堆叠结构的一侧，选择栅的上表面低于控制栅的下表面；即本申请中通过在栅极堆叠结构的一侧形成选择栅，且选择栅的上表面低于栅极堆叠结构的下表面，以降低栅极堆叠结构中控制栅与选择栅之间的耦合，同时提升了控制栅与选择栅之间的击穿电压，使得对应的承压的调节范围增大，提升了晶体管器件的操作速度，进而提升了晶体管器件的性能。
主权项：1.一种晶体管器件，其特征在于，包括：衬底；栅极堆叠结构，设置在所述衬底上，其中，所述栅极堆叠结构至少包括浮栅和控制栅；选择栅，设置在所述栅极堆叠结构的一侧，所述选择栅的上表面低于所述控制栅的下表面，其中，所述浮栅、所述控制栅和所述选择栅属于同一所述晶体管器件。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 一种晶体管器件及晶体管器件的制造方法
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