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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及HEMT晶体管及装置。一种HEMT晶体管，包括：第一半导体层；位于第一半导体层的第一面上的栅极；以及由第一介电材料制成的第一钝化层，其在第一半导体层的所述第一面、栅极的侧面以及栅极的与第一半导体层相反的面的至少外围部分之上延伸，其中由第二介电材料制成的第二钝化层在栅极的所述面和第一钝化层之间延伸，栅极的所述侧面没有所述第二钝化层。
主权项：1.一种HEMT晶体管，其特征在于，包括：第一半导体层；栅极，位于第一半导体层的第一面上；以及第一介电材料的第一钝化层，在第一半导体层的所述第一面、栅极的侧面以及栅极的与第一半导体层相反的面的至少外围部分之上延伸，第二介电材料的第二钝化层，在栅极的所述面和第一钝化层之间延伸，栅极的所述侧面没有所述第二钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 HEMT晶体管及装置
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