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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管，该半导体结构内形成有源漏掺杂区和P型掺杂阱区；其中，P型掺杂阱区内与源漏掺杂区相邻的区域形成有掺杂过渡区；其中，掺杂过渡区的掺杂浓度小于源漏掺杂区的掺杂浓度，大于P型掺杂阱区的掺杂浓度，并且掺杂过渡区的掺杂浓度沿着远离源漏掺杂区的方向减小；掺杂过渡区中掺杂有第一离子和第二离子；第一离子的相对原子质量大于形成P型掺杂阱区的掺杂离子的相对原子质量或相对分子质量；第二离子与第一离子不同，且第二离子的相对分子质量小于第一离子的相对原子质量。通过本申请实施例，提升了对CMOS器件的结漏电抑制效果和阈值电压调节效果，降低了改善CMOS器件性能的难度。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构内形成有源漏掺杂区和P型掺杂阱区；其中，所述P型掺杂阱区内与所述源漏掺杂区相邻的区域形成有掺杂过渡区；其中，所述掺杂过渡区的掺杂浓度小于所述源漏掺杂区的掺杂浓度，大于所述P型掺杂阱区的掺杂浓度，并且所述掺杂过渡区的掺杂浓度沿着远离所述源漏掺杂区的方向减小；所述掺杂过渡区中掺杂有第一离子和第二离子；所述第一离子的相对原子质量大于形成所述P型掺杂阱区的掺杂离子的相对原子质量或相对分子质量；所述第二离子与所述第一离子不同，且所述第二离子的相对分子质量小于所述第一离子的相对原子质量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管
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