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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种MV‑NMOS器件及ESD器件，属于半导体制造技术领域，该MV‑NMOS器件，包括：P型衬底；P型阱区，形成于所述P型衬底中，所述P型阱区的顶部设置有栅极；第二N型阱区，位于所述栅极的一侧，用于作为所述MV‑NMOS器件的漏极，所述第二N型阱区和所述栅极之间还布置有P型离子注入区。通过在器件的漏极和栅极之间添加P型离子注入区，寄生NPN的有效沟道随着P型离子注入区的插入而增加，改善MV‑NMOS器件的保持电压Vh。
主权项：1.一种MV-NMOS器件，其特征在于，包括：P型衬底；P型阱区，形成于所述P型衬底中，所述P型阱区的顶部设置有栅极；第二N型阱区，位于所述栅极的一侧，用于作为所述MV-NMOS器件的漏极，所述第二N型阱区和所述栅极之间还布置有P型离子注入区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 MV-NMOS器件及ESD器件
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