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申请/专利权人：深圳市创飞芯源半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法，属于电子器件技术领域，中压NMOS功率器件包括：P型衬底、P型外延层、边缘寄生单元、第一电阻、基极、源极、栅极、漏极和ESD保护单元；P型衬底上设置有P型外延层；P型外延层中设置有边缘寄生单元、第一电阻和基极；P型外延层上设置有源极、栅极和漏极；源极、栅极和漏极与ESD保护单元电性连接；边缘寄生单元的第一极与源极电性连接，第二极与漏极电性连接，第三极通过第一电阻与基极电性连接；栅极上开设有注入窗口，P型外延层设置有注入腔，注入腔与注入窗口连通，边缘寄生单元设置于注入腔的底部，通过注入窗口向注入腔中注入固定剂，以对边缘寄生单元进行固定。
主权项：1.一种带ESD保护的中压NMOS功率器件，其特征在于，包括：P型衬底、P型外延层、边缘寄生单元、第一电阻、基极、源极、栅极、漏极和ESD保护单元；所述P型衬底上设置有P型外延层；所述P型外延层中设置有所述边缘寄生单元、所述第一电阻和所述中压NMOS功率器件的基极；所述P型外延层上设置有所述中压NMOS功率器件的源极、栅极和漏极；所述中压NMOS功率器件的源极、栅极和漏极与所述ESD保护单元电性连接；所述边缘寄生单元的第一极与所述中压NMOS功率器件的源极电性连接，所述边缘寄生单元的第二极与所述中压NMOS功率器件的漏极电性连接，所述边缘寄生单元的第三极通过所述第一电阻与所述中压NMOS功率器件的基极电性连接；所述中压NMOS功率器件的栅极上开设有注入窗口，所述P型外延层设置有注入腔，所述注入腔与所述注入窗口连通，所述边缘寄生单元设置于所述注入腔的底部，通过注入窗口向所述注入腔中注入固定剂，以对所述边缘寄生单元进行固定。
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