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申请/专利权人：大连东软信息学院
摘要：本发明公开了一种基于源漏非对称NMOS晶体管的太赫兹探测器及探测器阵列结构，采用基于标准CMOS工艺设计的源漏非对称NMOS晶体管的导电沟道作为谐振腔，产生的谐振电流在分布式阻性自混频体制或等离子体混频体制下，产生与入射辐射功率成正比的直流输出，再通过将源漏非对称NMOS晶体管并联的方式提高探测器的驱动能力，通过串联方式提高输出电压，以实现CMOS太赫兹探测器的新技术路线，克服了CMOS工艺中天线增益低与带宽窄的固有限制，并通过调整源漏非对称NMOS晶体管的源漏区域的非对称性，实现了对特定太赫兹频率的有效谐振与整流，显著提升了探测器的响应率与工作带宽。
主权项：1.一种基于源漏非对称NMOS晶体管的太赫兹探测器，其特征在于，包括半导体P型硅衬底1、N型源极2、N型漏极3、栅极4以及氧化层5；所述N型源极2与N型漏极3分别位于半导体P型硅衬底1顶部的两端，所述半导体P型硅衬底1的上表面设有导电沟道6；所述导电沟道6的两端分别连通至N型源极2与N型漏极3的一端，栅极4的顶端连接有用于提供栅极电压的电源模块；所述栅极4位于所述半导体P型硅衬底1的上表面，且所述氧化层5位于栅极4与半导体P型硅衬底1的上表面之间，以用于将导电沟道6形成谐振腔；所述谐振腔用于根据接收的入射太赫兹波获取与入射太赫兹波频率相同的谐振电流，并基于谐振电流获取与外界太赫兹波的入射辐射功率成正比的直流输出电压；所述栅极4设置在N型源极2与N型漏极3之间，所述N型源极2的另一端接地，所述N型漏极3的另一端用于输出直流输出电压，以根据输出直流输出电压实现对入射太赫兹波信号功率的探测。
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百度查询： 大连东软信息学院 基于源漏非对称NMOS晶体管的太赫兹探测器及探测器阵列结构
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