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申请/专利权人：索尼集团公司
摘要：本发明提供一种能够进一步提高性能的谐振隧穿二极管和太赫兹振荡器。所述谐振隧穿二极管包括：多量子阱结构，由III族氮化物半导体构成；第一电极，连接至所述多量子阱结构的一侧；以及第二电极，连接至所述多量子阱结构的另一侧。多量子阱结构具有从第一电极朝向第二电极依次布置的第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、第二量子阱层和第三势垒层。第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层具有的厚度使得载流子可以由于隧穿效应而穿过其中。第一量子阱层和第二量子阱层中的每一者具有由自发极化、或自发极化与压电极化的和引起的电势梯度，并且量子阱层具有彼此不同的厚度。第一量子阱层和第二量子阱层具有彼此具有不同势能大小的成分。
主权项：1.一种谐振隧穿二极管，包括：多量子阱结构，由III族氮化物半导体构成；第一电极，连接至所述多量子阱结构的一侧，并且当所述谐振隧穿二极管工作时所述第一电极被施加第一电压；以及第二电极，连接至所述多量子阱结构的另一侧，并且当所述谐振隧穿二极管工作时所述第二电极被施加低于所述第一电压的第二电压，其中，所述多量子阱结构包括：从所述第一电极朝向所述第二电极依次布置的第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、第二量子阱层和第三势垒层，所述第一势垒层、所述第二势垒层和所述第三势垒层具有载流子能够通过隧穿效应穿过的厚度，所述第一量子阱层和所述第二量子阱层分别具有自发极化或自发极化与压电极化的总和的电势梯度，并且具有彼此不同的厚度，并且所述第一量子阱层和所述第二量子阱层具有势能的幅度不同的成分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼集团公司 谐振隧穿二极管和太赫兹振荡器
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