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申请/专利权人：首都师范大学
摘要：本发明提供了一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间。本发明所提供的光控太赫兹波调制芯片，其在0.2‑2.0THz的宽带太赫兹波段实现小功率的可激发阈值和在高功率下得到高调制的同时仍然保持超快特性。进一步地，本发明还提供了一种基于碲锗二维范氏异质结的光控太赫兹波调制芯片，其可同时实现超快调制速度和高的调制深度，同时还打破了二维材料的在低功耗下超灵敏响应的限制，相比于现有技术的光控太赫兹芯片具有极大的优势。
主权项：1.一种基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲薄膜，形成于所述绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间；第二薄膜，形成于所述碲薄膜之上或绝缘衬底和碲薄膜之间；所述第二薄膜为以下薄膜中的一种：锗薄膜、砷薄膜、过渡金属硫族化合物薄膜；其中，所述碲薄膜和第二薄膜的界面形成二维范氏异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 首都师范大学 基于二维碲薄膜的光控太赫兹波调制芯片及其制备方法
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