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申请/专利权人：北京邮电大学

摘要：本申请公开了一种天线设备及太赫兹双频偏振化超表面单元，包括：太赫兹双频偏振化超表面装置以及太赫兹双频天线，其中太赫兹双频偏振化超表面装置包括至少一个太赫兹双频偏振化超表面单元，并且太赫兹双频偏振化超表面单元构成太赫兹双频偏振化超表面装置的超表面，其中太赫兹双频偏振化超表面单元包括第一石墨烯层、第二石墨烯层以及设置于第一石墨烯层与第二石墨烯层之间的环烯烃共聚物材料层；并且太赫兹双频天线与太赫兹双频偏振化超表面装置的超表面平行设置。

主权项：1.一种天线设备，其特征在于，包括：太赫兹双频偏振化超表面装置10以及太赫兹双频天线20，其中所述太赫兹双频偏振化超表面装置10包括至少一个太赫兹双频偏振化超表面单元110，并且所述太赫兹双频偏振化超表面单元110构成所述太赫兹双频偏振化超表面装置10的超表面，其中所述太赫兹双频偏振化超表面单元110包括第一石墨烯层111、第二石墨烯层112以及设置于所述第一石墨烯层111与所述第二石墨烯层112之间的环烯烃共聚物材料层113；并且所述太赫兹双频天线20与所述太赫兹双频偏振化超表面装置10的超表面平行设置，其中所述太赫兹双频偏振化超表面单元110为正方形形状，并且所述第一石墨烯层111和所述第二石墨烯层112的边长为47～51μm；所述第一石墨烯层111和所述第二石墨烯层112的表面设置有与各自对角线平行的缝隙，其中所述第一石墨烯层111和所述第二石墨烯层112的缝隙的延伸方向垂直；以及所述第一石墨烯层111的缝隙的宽度为4～6μm，所述第二石墨烯层112的缝隙的宽度为0.8～1.2μm，其中所述太赫兹双频偏振化超表面单元110还包括：金图层114、硝酸硅层115、二氧化硅层116以及金反射层117，其中所述二氧化硅层116、所述硝酸硅层115以及所述金图层114按照由内向外的顺序依次设置于所述第一石墨烯层111表面；以及所述金反射层117设置于所述第二石墨烯层112的表面，其中所述金图层114包括：条状连接部1141、第一扇形部1142以及第二扇形部1143，其中所述第一扇形部1142与所述第二扇形部1143相对于所述太赫兹双频偏振化超表面单元110的中心点对称布置；以及所述第一扇形部1142和所述第二扇形部1143由所述条状连接部1141连接，并且其中所述条状连接部1141沿所述第一石墨烯层111的与相应缝隙平行的对角线延伸，并且所述第一扇形部1142和所述第二扇形部1143分别相对于所述条状连接部1141对称布置；所述条状连接部1141的宽度为0.8～1.2μm，并且所述条状连接部1141的长度为52～54μm；以及所述第一扇形部1142和所述第二扇形部1143的内圆直径为33～35μm，并且所述第一扇形部1142和所述第二扇形部1143的外圆直径为47～51μm。

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