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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

摘要：一种鳍式场效晶体管装置的制造方法。在此鳍式场效晶体管装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。

主权项：1.一种鳍式场效晶体管装置的制造方法，其特征在于，该鳍式场效晶体管装置的制造方法包括：蚀刻一晶圆的一半导体基材以形成至少一鳍；形成一绝缘结构于该至少一鳍的周围；凹陷该至少一鳍；磊晶地成长一磊晶通道结构于凹陷的该至少一鳍上；除去该绝缘结构的一第一顶表面上的该磊晶通道结构的一部分；在除去该磊晶通道结构的该部分后，进行一非接触式清洗作业以清洗该晶圆的一第二顶表面；在除去该磊晶通道结构的该部分后，使用一氟化氢清洗该晶圆的该第二顶表面；以及凹陷该绝缘结构，以致于该磊晶通道结构自凹陷的该绝缘结构突伸。

全文数据：鳍式场效晶体管装置的制造方法技术领域本揭露是关于一种半导体的制造方法，且特别是提供一种鳍式场效晶体管装置的制造方法。背景技术半导体集成电路integratedcircuit，IC工业已经历快速的成长。在集成电路发展过程中，当几何尺寸即利用制作流程可形成的最小组件或线已减小的同时时，功能密度即每一晶片面积内连接装置的数量已普遍增加。这样的尺寸缩小制程，一般提供了增加产品效能且降低相关成本的优点。但尺寸缩小亦会增加集成电路制程及制造上的复杂度。举例来说，在整个集成电路制作流程中进行的晶圆清洗程序。然而，传统的清洗程序无法在所有面向上完全满足。发明内容根据本揭露的一实施例，本揭露揭示一种半导体的制造方法。在此半导体的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将最佳地理解本揭露的态样。应注意，根据工业中的标准实务，附图中的各特征并非按比例绘制。实际上，可出于论述清晰的目的任意增减所说明的特征的尺寸。图1A至图1L是绘示根据本揭露一些实施例显示FinFET装置的制造方法的中间阶段的附图结构示意图；图2A是绘示图1G所示的清洗具有经研磨的磊晶通道结构的晶圆的方法；图2B是绘示根据本揭露一些实施例显示冲洗清洁装置的附图结构示意图；图2C是绘示根据本揭露一些实施例显示使用接触式清洗作业的接触式清洗装置的附图结构示意图；图2D是绘示根据本揭露一些实施例显示使用非接触式清洗作业的非接触式清洗装置的附图结构示意图；图2E是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗周期操作的流程图；图2F是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗周期操作的流程图；图2G是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗磊晶通道结构的方法的流程图；图2H是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗磊晶通道结构的方法的流程图；图2I是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗磊晶通道结构的方法的流程图；图2J是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗磊晶通道结构的方法的流程图；图2K是根据第一例显示晶圆上的有机残留物的X-射线光电子光谱x-rayphotoelectronspectroscopy，XPS测量；图2L是根据第二例显示晶圆100上的有机残留物的X-射线光电子光谱测量；图3是本揭露一些实施例显示制造半导体装置的方法的流程图。具体实施方式须理解的是，以下揭露提供许多不同实施例或例示，以实施发明的不同特征。以下叙述的成份和排列方式的特定例示是为了简化本揭露。这些当然仅是做为例示，其目的不在构成限制。举例而言，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。本揭露所使用的词汇是仅用于描述特定范例实施例的用，并非限制本揭露的概念。如本文所使用，除非内文清楚表示，否则单数形式“一”与“该”是也用于包含复数形式。如“第一”及“第二”等用语是用来描述不同的元件、区域及层等，尽管这些用语是仅用来区别一元件、一区域或一层与另一元件、另一区域或另一层。因此，在不脱离权利要求主体内容的精神内，第一区域可被视为是第二区域，其他项目亦可由此类推。再者，本揭露可重复使用元件标号文字符号于不同的实施例中。该重复使用的目的在于简化与明确叙述内容，而不具决定不同实施例中特定元件或组合的关系。如此所使用的用语“及或”包含了一或多个相关列出的项目的任何或全部组合。FinFET可通过任何适合的方法被图案化。举例来说，FinFET可使用一或多个微影制程被图案化，微影制程包含双图案double-patterning或多图案multi-patterning制程。一般来说，双图案或多图案制程是结合微影及自对准self-aligned制程，以使得图案被创造，举例来说，相较于使用单一且直接的微影制程所得到的图案具有较小的间距。举例来说，在一实施例中，牺牲层是在基材上被形成且此牺牲层是使用微影制程被图案化。间隙壁是使用自对准制程沿着图案化的牺牲层的边被形成。然后牺牲层接着被除去，而余留的间隙壁可接着被使用于图案化FinFET。磊晶通道结构的表面一般为疏水性的。当在磊晶通道结构上实施典型的化学机械研磨chemicalmechanicalpolishing，CMP的操作时，额外的润湿剂或界面活性剂是被加入CMP研浆或后清洁化学物质中，以形成疏水性的表面。然而，这些润湿剂及界面活性剂是全有机化合物，在磊晶通道结构上导致可见或非可见的高分子残留物及有机的微粒落尘。这些可见或非可见的高分子残留物及有机的微粒落尘可严重的影响装置表现或产品产出。典型的CMP清洁器仅提供海绵刷子、滚轮或铅笔，以使用一个典型的清洁化学物质直接接触磊晶通道结构的表面，进而减少表面缺陷的数量。然而，透过使用具有单一化学物质的接触式清洁，接触式清洁的清洁效率不足以用于磊晶通道结构的后CMP应用。本揭露的实施例是指FinFET装置的制造方法。在此FinFET装置的制造方法中，提供半导体基材。接着，磊晶通道结构是于此半导体基材上被形成。然后，实施研磨操作于此磊晶通道结构上。接下来，实施整体原位化学清洗integratedin-situchemicalclean操作于磊晶通道结构的暴露的研磨的表面上，以清洗磊晶通道结构的被暴露的表面。之后，依序形成栅极介电层及栅极电极层于磊晶通道结构上。而后，形成源极漏极于磊晶通道结构上。整体原位化学清洗操作包含化学清洗chemicalrinse使用具有具有氧化剂的溶液、接触式清洗contact-typeclean、非接触式清洗non-contacttypeclean及氧化剂稀释的氟氢酸的化学清洗周期方法。因为使用整体原位化学清洗操作可有效地除去在磊晶通道结构表面上的可见或非可见研浆残留物、高分子残留物及有机的微粒落尘，FinFET装置的产出表现可提升。请参阅图1A至图1L，图1A至图1L是绘示根据本揭露一些实施例显示FinFET装置的制造方法的中间阶段的附图结构示意图。如图1A所示，提供半导体基材110。举例来说，在一些实施例中，半导体基材110可为半导体材料且可包含结构，此结构包括渐变层或埋藏氧化物buriedoxide。在一些实施例中，半导体基材110包含主体硅bulksilicon，此主体硅可无掺杂或被掺杂如p型、n型或前述的组合。适合用于半导体装置形成的其他材料可被使用。其他材料如锗、石英、蓝宝石、玻璃可替换的使用于半导体基材110。换而言之，半导体基材110可为绝缘层上覆硅silicon-on-insulator，SOI基材或多层基材如形成于主体硅上的硅锗层的主动层。如图1B所示，蚀刻半导体基材110，以于底部部分112形成鳍部分即下述的鳍114以下称为“鳍114”。在一些实施例中，蚀刻半导体基材110，以在半导体基材110内形成沟槽116，借此形成鳍114。蚀刻可为任何可接受的蚀刻操作，如活性离子蚀刻reactiveionetch，RIE、中性粒子束蚀刻neutralbeametch，NBE、其他类似的技术或上述的组合。在一些实施例中，蚀刻可为非等向的。如图1C所示，以绝缘材料结构120来填充沟槽116。绝缘材料结构120包含绝缘部分122及在绝缘部分122与鳍114上的顶部部分124。绝缘部分122是位于两个相邻的鳍114之间。在一些实施例中，绝缘材料结构120可为氧化物如氧化硅、氮化物、其他类似的材料或上述的组合。通过高密度电浆化学气相沉积High-DensityPlasmaChemicalVaporDeposition，HDP-CVD、流动式化学气相沉积FlowableChemicalVaporDeposition，FCVD、其他类似的技术或前述的组合，形成绝缘材料结构120。FCVD可例如为在远距电浆系统remoteplasmasystem内的化学气相沉积ChemicalVaporDeposition，CVD基的材料沉积及后固化的技术，以使绝缘材料结构转换为另一种材料，如氧化物。举例来说，绝缘材料结构120是通过FCVD的操作所形成的氧化硅。如图1D所示，除去绝缘材料结构120的顶部部分124，以暴露鳍114的顶表面114S。在一些实施例中，通过使用平面化操作，如化学机械研磨chemicalmechanicalpolishing，CMP，以除去绝缘材料结构120的顶部部分124，但本揭露的实施例不以此为限。在除去绝缘材料结构120的顶部部分124后，绝缘部分122维持在两个相邻的鳍114之间。如图1E所示，除去鳍114的顶部部分，以形成凹槽126，此凹槽126是由绝缘材料结构120的绝缘部分122所定义。通过使用任何可接受的蚀刻制程的蚀刻，可形成凹槽126。可接受的蚀刻制程如RIE、NBE、氢氧化四甲铵tetramethylammoniumhydroxide，TMAH、氢氧化铵ammoniumhydroxide，NH4OH、有蚀刻硅能力的湿式蚀刻、其他类似的技术或上述的组合。前述的湿式蚀刻是在硅及绝缘材料结构120的绝缘部分122的材料间，具有好的选择性。蚀刻可为非等向性的。在其他实施例中，鳍114的顶部部分可被蚀刻以具有不同的构型。如图1F所示，于凹槽126内形成磊晶通道结构如磊晶鳍130。磊晶鳍130被构型以提供场效晶体管的通道区域。举例来说，场效晶体管包括通过通道区域分开的源极区域及漏极区域。栅极结构是位于源极区域及漏极区域间，且栅极结构被构型以控制电荷载体如空穴或电子的流动。由于磊晶鳍130是用于提供通道区域，磊晶鳍130可以是磊晶通道epi-channel结构。在一些实施例中，通过在凹槽126内磊晶成长材料，形成磊晶鳍130。前述的材料如有机金属化学气相沉积metal-organicCVD，MOCVD、分子束磊晶molecularbeamepitaxy，MBE、液相磊晶liquidphaseepitaxy，LPE、气相磊晶vapor-phaseepitaxy，VPE、选择性磊晶成长selectiveepitaxygrowth，SEG、其他类似的技术或前述的组合。在一些实施例中，磊晶鳍130的材料是与半导体基材110的材料不同。在一些实施例中，磊晶鳍130包含Si、SiP、SiPC、SiGe、SiGeB、Ge或第III-V族化合物的半导体。举例来说，用于形成第III-V族化合物的半导体的可得的材料包含，但不限于，InP、GaAs、AlAs、InAs、InAlAs、InGaAs、InSb、GaSb、InGaSb及其他类似的材料。在其他实施例中，磊晶鳍130可为其他材料，如硅、碳化硅、锗、第II-VI族化合物的半导体、或其他类似的材料。如图1G所示，实施平面化的操作以研磨绝缘部分122的顶部及磊晶鳍130，而形成平坦的表面140。在一些实施例中，通过使用CMP实施平面化的操作，但本揭露的实施例不以此为限。由于磊晶鳍130的表面是疏水性的，在化学机械研磨的操作时，使用额外的润湿剂及界面活性剂。然而，这些额外的润湿剂及界面活性剂是有机化合物，此有机化合物可在磊晶鳍130的表面上导致可见或非可见的高分子残留物及有机的微粒落尘，并严重的影响装置表现或产品产出。因此，在实施平面化的操作后，实施清洗暴露的研磨的的磊晶鳍130表面的方法。如图1H所示，在暴露的磊晶鳍130表面被清洗后，蚀刻绝缘部分122以暴露磊晶鳍130的顶部部分。在一些实施例中，在蚀刻绝缘部分122后，磊晶鳍130的侧壁130W被暴露。在一些实施例中，蚀刻可为任何可接受的蚀刻操作，如RIE、NBE、其他类似的技术或上述的组合。如图1I所示，栅极介电层150是毯覆式地在绝缘部分122及磊晶鳍130上形成。在一些实施例中，栅极介电层150是高介电系数介电层。举例来说，栅极介电层150可包括HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO或其他适合的高介电系数介电材料。高介电系数介电材料可还包含金属氧化物、金属氮化物、金属硅酸盐、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅酸盐、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、硅酸锆、锆铝酸盐、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆、氧化钛、氧化铝、HfO2-Al2O3合金或其他适合的材料。在一些实施例中，通过使用CVD、电浆辅助化学气相沉积plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD或低压化学气相沉积lowpressurechemicalvapordeposition，LPCVD，形成栅极介电层150。如图1J所示，在栅极介电层150上形成间隙壁160及栅极电极170。在一些实施例中，间隙壁160是自介电材料形成，介电材料如氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、其他适合的材料及或上述的组合，但本揭露的实施例不以此为限。通过使用形成层的方法，形成间隙壁160。前述形成层的方法如CVD、PECVD、溅镀或其他所属领域中习知的方法。在一些实施例中，栅极电极170可自导电材料形成，且可自选择自多晶硅poly-Si、多晶硅锗poly-SiGe、金属氮化物、金属硅化物、金属氧化物、金属、前述的组合及其他类似材料的组成群组。金属氮化物包括氮化钨、氮化钼、氮化钛、氮化钽或其组合。金属硅化物包括硅化钨、硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化铂、硅化铒或其组合。金属氧化物包括氧化钌、氧化铟锡或其组合。金属包括钨、钛、铝、铜、钼、镍、铂等。通过CVD沉积、溅镀沉积或其他所属领域中习知且使用于沉积导电材料的技术，栅极电极170可被沉积。如图1K所示，除去栅极介电层150的部，以暴露磊晶鳍130。在一些实施例中，间隙壁160及余留的栅极电极170覆盖栅极介电层150，而未被间隙壁160及栅极电极170覆盖的栅极介电层150是被蚀刻以暴露下方的磊晶鳍130。如图1L所示，源极漏极180是在暴露的磊晶鳍130上形成且覆盖磊晶鳍130。在一些实施例中，源极漏极180是由硅锗形成且自鳍114的表面磊晶成长，但本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，可在源极漏极180上实行掺杂的操作，以用n型或p型的掺质掺杂源极漏极180。请参阅图2A，图2A是绘示图1G所示的清洗具有经研磨的磊晶通道结构的晶圆的方法200。方法200包含复数个操作，此磊晶通道结构是实施在晶圆上，以清洗磊晶通道结构的暴露的表面。在方法200中，首先，实施氧化剂冲洗操作210，以清洗晶圆。在一些实施例中，如图2B所示，使用于氧化剂冲洗操作210的冲洗清洁装置包含滚轮211及喷杆212，以清洗具有经研磨的磊晶通道结构的晶圆100。晶圆100是放置在滚轮211上，以使晶圆100可被旋转。当实施氧化剂冲洗操作210，喷杆212在晶圆100上提供具有氧化剂的溶液，借此清洗晶圆100经研磨的磊晶通道结构的暴露表面。在一些实施例中，使用具有氧化剂的溶液以减少残留物微粒与磊晶通道结构的暴露表面间的界面附着性。氧化剂的清洁化学物质包含臭氧化去离子水ozoneandde-ionizedwater，DIO3、过氧化氢H2O2、过硫酸铵〔NH42S2O8〕溶液、次氯酸钠NaClO、四氧化硫sulfuricperoxidemixture，SPM、NH3H2O2H2O溶液SC1、HClH2O2H2O溶液SC2或前述的组合。在一些实施例中，在DIO3中的臭氧浓度的范围实质上为1ppm至10ppm，过氧化氢的浓度范围实质上为0.1重量百分比wt％至10wt％，过硫酸铵的浓度范围实质上为0.1wt％至44wt％，次氯酸钠的浓度范围实质上为0.1wt％至16wt％。接着，在在晶圆100上实施操作220。操作220包含至少一接触式或非接触式清洗作业。在一些实施例中，操作220包含一个接触式清洗作业及两个非接触式清洗作业。在操作220中，首先实施接触式清洗作业222，然后依序实施两个非接触式清洗作业224及226。然而，本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，首先实施非接触式清洗作业，然后实施接触式清洗作业。在一些实施例中，操作220包括三个接触式清洗作业。在一些实施例中，操作220包括两个接触式清洗作业及一个非接触式清洗作业。在一些实施例中，操作220包括三个非接触式清洗作业。请参阅图2C，图2C是绘示根据本揭露一些实施例显示使用接触式清洗作业的接触式清洗装置的附图结构示意图。在本实施例中，于操作220的接触式清洗作业中使用软垫清洁器。然而，本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，其他的清洗装置，例如铅笔清洁器如铅笔型刷子或滚轮如滚轮型刷子可被使用于操作220中。如图2C所示，接触式清洗装置包含支撑架213、软垫214、载体215及喷嘴216。支撑架213是用于支撑软垫214，载体215是用于负载晶圆100，喷嘴216是用于提供清洁化学物质到软垫214上。当接触式清洗装置清洗晶圆100时，旋转支撑架213，以使配置于支撑架213的软垫214旋转，且喷嘴216提供清洁化学物质到软垫214上。因此，晶圆100可被清洁化学物质清洗。在一些实施例中，旋转载体215，以旋转被载体215携带的半导体装置100。在一些实施例中，软垫214是与用于CMP的软垫类似，但本揭露的实施例不以此为限。请参阅图2D，图2D是显示根据本揭露的操作220中使用非接触式清洗作业的非接触式清洗装置的附图结构示意图。在此实施例中，非接触式清洗装置是喷雾式清洁器。然而，本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，于操作220中，可使用其他清洗装置，例如超音波20～400kHz清洁器或兆声波0.4～5MHz清洁器。如图2D所示，非接触式清洗装置包含腔体217、喷射嘴218及研浆运载手臂219。腔体217是用以接收晶圆100。喷射嘴218是配置在研浆运载手臂219上，以提供清洁化学物质到晶圆上。在一些实施例中，提供气体〔如氩Ar〕及清洁化学物质是予喷射嘴218，借此使喷射嘴218得以以范围实质为300ccmin至1000ccmin的流量提供清洁化学物质，但本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，晶圆100是在腔体217中旋转，但本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，接触式清洗作业及非接触式清洗作业所使用的清洁化学物质包含去离子水DIW、氢氧化铵NH4OH、臭氧化去离子水DIO3、过氧化氢H2O2、过硫酸铵〔NH42S2O8〕溶液、次氯酸钠NaClO、四氧化硫SPM、NH3H2O2H2O溶液SC1、HClH2O2H2O溶液SC2、稀释的氟氢酸氟化氢、稀释的氯化氢HCl、阴离子界面活性剂、阳离子界面活性剂、非离子界面活性剂、两性离子界面活性剂或前述的组合。更进一步，在一些实施例中，在DIO3中的臭氧浓度的范围实质上为1ppm至10ppm。在一些实施例中，过氧化氢的浓度范围实质上为0.1wt％至10wt％。在一些实施例中，氢氧化铵的浓度范围实质上为0.1wt％至2wt％。在一些实施例中，过硫酸铵的浓度范围实质上为0.1wt％至44wt％。在一些实施例中，次氯酸钠的浓度范围实质上为0.1wt％至16wt％。在一些实施例中，氟化氢的浓度范围实质上为0.01wt％至2wt％。在一些实施例中，氯化氢的浓度范围实质上为0.01wt％至2wt％。请回头参阅图2A，在操作220后，在晶圆100上实施清洗周期操作230。请参阅图2E，图2E是绘示根据本揭露一些实施例显示清洗周期操作230的流程图。在清洗周期操作230中，首先，在晶圆100上实施稀释的氟氢酸清洗操作231。在一些实施例中，稀释的氟氢酸的浓度实质范围为0.1wt％至2wt％。然后，在晶圆100上实施去离子水DIW冲洗操作232。接着，在晶圆100上实施氧化剂清洗操作233。在一些实施例中，此处的氧化剂清洗操作233是与图2B的氧化剂冲洗操作210类似，但本揭露的实施例不以此为限。接下来，在晶圆100上实施另一个去离子水冲洗操作234。在一些实施例中，此处的去离子水DIW冲洗操作234是与前述的去离子水DIW冲洗操作232类似，但本揭露的实施例不以此为限。举例来说，在一些实施例中，此处的去离子水DIW冲洗操作234是与前述的去离子水DIW冲洗操作232不同。之后，可重复地实施操作231至234以清洗晶圆100。操作231至234的周期时间可视使用者对于较佳清洗表现的需求而定。在去离子水DIW冲洗操作234后，在晶圆100上实施另一个稀释的氟氢酸清洗操作235。在一些实施例中，此处的稀释的氟氢酸清洗操作235与前述的稀释的氟氢酸清洗操作231类似，但本揭露的实施例不以此为限。举例来说，在一些实施例中，此处的稀释的氟氢酸清洗操作235与前述的稀释的氟氢酸清洗操作231不同。然后，在晶圆100上实施另一个去离子水DIW冲洗操作236。在一些实施例中，此处的去离子水DIW冲洗操作236与前述的去离子水DIW冲洗操作232类似，但本揭露的实施例不以此为限。举例来说，此处的去离子水DIW冲洗操作236与前述的去离子水DIW冲洗操作232不同。在一些实施例中，去离子水DIW冲洗操作232、234及236可被省略。在清洗晶圆100后，实施干燥操作，以干燥晶圆100。在一些实施例中，干燥操作可为旋转冲洗干燥spinrinsedry或异丙醇isopropylalcohol，IPA蒸气干燥。举例来说，当实施IPA蒸气干燥时，晶圆100是被置于密封的容器，接着直接予以晶圆100IPA蒸气，以自晶圆100上除去水。在前述实施例中，当省略去离子水DIW冲洗操作236时，清洗周期操作230在稀释的氟氢酸清洗操作231时开始，且于稀释的氟氢酸清洗操作235时结束。然而，在一些实施例中，省略稀释的氟氢酸清洗操作235及去离子水DIW冲洗操作236，且省略去离子水DIW冲洗操作234时，清洗周期操作230在氧化剂清洗操作233时结束。更进一步，在一些实施例中，如图2F所示，清洗周期操作230在氧化剂清洗操作233时开始。在一些实施例中，当省略去离子水DIW冲洗操作236时，清洗周期操作230在氧化剂清洗操作233时开始且在氧化剂清洗操作237时结束，此时，在氧化剂清洗操作237与在氧化剂清洗操作233类似，但本揭露的实施例不以此为限。在一些实施例中，省略氧化剂清洗操作237及去离子水DIW冲洗操作236，且省略去离子水DIW冲洗操作234时，清洗周期操作230在稀释的氟氢酸清洗操作231时结束。在一些实施例中，如图2G所示，为了较好的清洗表现，操作220及操作230是重复的实施。操作220至230的周期时间可视使用者而定。在一些实施例中，视使用者需求，在方法200中，清洗磊晶通道结构的暴露表面的一或多个操作可被省略。举例来说，如图2H所示，氧化剂冲洗操作210可被省略。在另一个例子中，如图2I所示，操作220包含接触式非接触式清洗操作可被省略。而在另一个例子中，如图2J所示，氧化剂冲洗操作210及清洗周期操作230可被省略。又在另外一个例子中，可减少操作220至230的周期时间。再一个例子中，可减少清洗周期操作230的操作231至234的周期时间。此后，在本揭露以两个例子显示方法200能在晶圆100上除去显著数量的有机残留物及小的微粒。请参阅图2K，图2K是根据第一例显示晶圆100上的有机残留物的X-射线光电子光谱x-rayphotoelectronspectroscopy，XPS测量。曲线251代表当磊晶鳍130在鳍114上磊晶地成长后，晶圆100上的有机残留物的数量；曲线252代表当在磊晶鳍130上进行CMP后，晶圆100上的有机残留物的数量；及曲线253代表进行后CMP且接着在晶圆100上进行方法200后，于晶圆100上的有机残留物的数量。在曲线253中，在第一例的方法200使用的化学物质包括稀释的氟氢酸、稀释的氯化氢及去离子水。如图2K所示，方法200减少有机残留物显著的数量。请参阅图2L，图2L是根据第二例显示晶圆100上的有机残留物的X-射线光电子光谱测量。曲线254代表当磊晶鳍130在鳍114上磊晶地成长后，晶圆100上的有机残留物的数量；曲线255代表当在磊晶鳍130上进行CMP后，晶圆100上的有机残留物的数量；及曲线256代表在晶圆100上进行CMP后，且接着进行方法200后，于晶圆100上的有机残留物的数量。在曲线256中，在第二例的方法200使用的化学物质包括SPM、稀释的氟氢酸及SC1。如图2L所示，方法200减少有机残留物显著的数量。更进一步，当晶圆100是使用方法200清洗，晶圆100上的小尺寸微粒可显著地减少50％至55％。在此实施例中，清洗周期操作230的操作231至234是重复两次。请参阅图3，图3是本揭露一些实施例的制造鳍式场效晶体管装置的方法300的流程图。方法300在操作302时开始。在操作302时，如图1A所示，提供半导体基材110。接着，在操作304时，如图1B所示，蚀刻半导体基材110，以形成鳍114。然后，在操作306时，如图1C所示，在鳍114的周围形成绝缘材料结构120。接下来，在操作308时，如图1D所示，除去绝缘材料结构120的顶部部分120，以暴露鳍114的顶表面114S。然后，在操作310时，如图1E所示，凹陷鳍114。接着，在操作312时，如图1F所示，磊晶鳍130是于凹陷的鳍114上磊晶地成长。接下来，在操作314时，如图1G所示，实施平面化操作，以研磨绝缘部分122及磊晶鳍130的顶部，而形成平坦的表面140。然后，在操作316时，通过使用清洗方法200清洗磊晶鳍130暴露的表面。在一些实施例中，实施干燥操作317，以干燥磊晶鳍130暴露的表面。在磊晶鳍130暴露的表面干燥后，在操作318时，如图1H所示，凹陷绝缘材料结构120的绝缘部分122，以致于磊晶鳍130自凹陷的绝缘结构突伸。接着，在操作320时，如图1I所示，栅极介电层150是毯覆式地形成在绝缘部分122及磊晶鳍130上。然后，在操作322时，如图1J所示，在栅极介电层150上形成间隙壁160及栅极电极170。接下来，在操作324时，如图1K所示，除去栅极介电层150的部分，以暴露磊晶鳍130的部分。接着，在操作326时，如图1L所示，源极漏极180是在暴露的磊晶鳍130的暴露的部份上形成，且覆盖磊晶鳍130。在一些实施例中，清洗磊晶鳍130暴露的表面的操作316及形成平坦的表面140的操作314可使用相同的器具进行。在上述的实施例中，由于磊晶通道结构是疏水性的，因此在研磨磊晶通道结构操作时使用额外的润湿剂及界面活性剂。然而，这些润湿剂及界面活性剂是有机化合物，在磊晶通道结构上导致可见或不可见的高分子残留物及有机的微粒落尘，且严重的影响装置表现或产品产出。因此，在具有磊晶通道结构的晶圆上实施方法200可，以清洗磊晶通道结构的暴露的表面。在一些实施例中，方法200包括氧化剂冲洗操作、接触式或非接触式清洗作业及清洗周期操作，借此自磊晶通道结构的暴露被研磨的表面有效地去除残留物及微粒根据本揭露的一实施例，本揭露揭示一种半导体的制造方法。在此半导体的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。在一些实施例中，非接触式清洗作业包括超音波清洗晶圆的顶表面。在一些实施例中，非接触式清洗作业包括喷洒液体至该晶圆的顶表面。在一些实施例中，非接触式清洗作业包括旋转晶圆。在一些实施例中，此方法还包括在非接触式清洗作业前，使用具有氧化剂的溶液冲洗该晶圆的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用具有氧化剂的溶液清洗该晶圆的顶表面。在一些实施例中，在使用具有氧化剂的溶液清洗晶圆的顶表面前，进行使用氟化氢清洗晶圆的顶表面的操作。在一些实施例中，在使用氟化氢清洗晶圆的顶表面前，进行使用具有氧化剂的溶液清洗晶圆的顶表面的操作。在一些实施例中，此方法还包括在使用具有氧化剂的溶液清洗晶圆的顶表面后，冲洗晶圆的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在使用氟化氢清洗晶圆的顶表面后，冲洗晶圆的顶表面。根据本揭露的一实施例，本揭露揭示一种半导体装置的制造方法。在此半导体装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少鳍。接着，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接下来，凹陷此至少一鳍。然后，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。接着，除去该绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分，以致于该磊晶通道结构的其他部分的顶表面自绝缘结构的顶表面被暴露。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行第一非接触式清洗作业以清洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面。然后，在除去该磊晶通道结构的前述部分后，使用具有氧化剂的溶液清洗该磊晶通道结构的其他部分的顶表面。接着，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。在一些实施例中，在第一非接触式清洗作业后，进行使用具有氧化剂的溶液清洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面的操作。在一些实施例中，此方法还包括在进行第一非接触式清洗作业前，冲洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行接触式清洗作业以清洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在进行第一非接触式清洗作业后，进行第二非接触式清洗作业以清洗该磊晶通道结构的其他部分的顶表面。根据本揭露的一实施例，本揭露揭示一种半导体装置的制造方法。在此半导体装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少鳍。接着，形成绝缘结构于至少一鳍的周围。然后，凹陷至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的至少一鳍上。接着，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的其他部分，以致于磊晶通道结构的其他部分的顶表面自绝缘结构的顶表面被暴露。然后，在除去该磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面。接下来，在除去该磊晶通道结构的前述部分后，使用具有氧化剂的溶液清洗该磊晶通道结构的其他部分的顶表面。接着，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。在一些实施例中，此方法还包括使用氟化氢重复清洗磊晶通道结构的其它部分的顶表面及使用具有氧化剂的溶液清洗晶圆的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在使用氟化氢清洗晶圆的顶表面前，使用刷子清洗磊晶通道结构的其它部分的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在使用氟化氢清洗晶圆的顶表面前，使用清理垫清洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面。在一些实施例中，此方法还包括在使用氟化氢清洗晶圆的顶表面前，使用海绵清洁器清洗磊晶通道结构的其他部分的顶表面。前述内容概述若干实施例的特征以使得熟悉此项技术者可较佳地理解本揭露内容的态样。熟悉此项技术者应理解，其可容易地使用本揭露内容做为设计或修改其他制程及结构的基础用于进行本文中所介绍的实施例的相同的目的及或达成相同的优点。熟悉此项技术者应同时意识到，此等等效建构不偏离本揭露内容的精神及范畴，且其可在本文中进行各种变化、替代及修饰而不偏离本揭露内容的精神及范畴。

权利要求：1.一种鳍式场效晶体管装置的制造方法，其特征在于，该鳍式场效晶体管装置的制造方法包括：蚀刻一晶圆的一半导体基材以形成至少一鳍；形成一绝缘结构于该至少一鳍的周围；凹陷该至少一鳍；磊晶地成长一磊晶通道结构于凹陷的该至少一鳍上；除去该绝缘结构的一第一顶表面上的该磊晶通道结构的一部分；在除去该磊晶通道结构的该部分后，进行一非接触式清洗作业以清洗该晶圆的一第二顶表面；在除去该磊晶通道结构的该部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的该第二顶表面；凹陷该绝缘结构，以致于该磊晶通道结构自凹陷的该绝缘结构突伸。

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