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申请/专利权人：上海昇贻半导体科技有限公司
摘要：本发明公开一种新型增强型ESD保护电路，属于集成电路领域。本发明通过全新的ESD泄放机理极大的提高了ESD防护能力，可以满足8KVHBM或者更高的ESD标准，同时也解决了传统第一NMOS管需要特殊布局导致版图过大的问题；也由于没有使用任何PDK以外的器件，因此电路的设计和检查变得更加容易。客户可以使用标准的GPIO库实现功能，如果要提高ESD防护能力，只需要额外增加本防护电路就可以，也不影响GPIO的速度。由于在汽车和工控芯片上通常有更高的ESD要求，本发明具有很大的实用价值。
主权项：1.一种新型增强型ESD保护电路，其特征在于，包括第一NMOS管和第二NMOS管、第一电阻和第二电阻、第一电容、n个二极管、第一反相器；第一NMOS管的漏端和源端分别接到电源VDD和地VSS，第一NMOS管的栅端接到地VSS，第一NMOS管的衬底接到第一反相器的输出端；电源VDD和A点之间连接串联的n个二极管，其中n的数量取决于希望在多高的电压下要泄放ESD电流；A点到地VSS之间连接第二电阻，并且A点接到第二NMOS管的栅端，第二NMOS管的源端和衬底均接到地VSS，漏端接到第一反相器的输入B点；第一电阻一端接电源VDD，另外一端连接B点，第一电容的一端接B点，另外一端接地VSS。
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权利要求：
百度查询： 上海昇贻半导体科技有限公司 一种新型增强型ESD保护电路
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