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申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
摘要：本申请提供一种具有ESD保护结构的半导体器件及其制备方法，包括衬底、源极金属、栅极金属引线和ESD保护结构，衬底具有源区、ESD区和栅区，ESD区位于源区与栅区之间；源极金属位于源区；栅极金属引线位于栅区；ESD保护结构位于ESD区，ESD保护结构包括栅氧、ESD多晶硅、ESD栅极多晶硅以及ESD源极多晶硅，ESD多晶硅、ESD栅极多晶硅以及ESD源极多晶硅均位于栅氧上，ESD多晶硅的延伸方向与栅极金属引线的延伸方向相同且具有并联的PN结构，ESD栅极多晶硅与ESD多晶硅连接且分别位于ESD多晶硅靠近源区和栅区的一侧，ESD源极多晶硅与ESD栅极多晶硅间隔设置且连接于ESD多晶硅靠近源区的一侧，ESD源极多晶硅与源极金属连接，ESD栅极多晶硅与栅极金属引线连接，以提高ESD防护性能。
主权项：1.一种具有ESD保护结构的半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有源区、ESD区以及栅区，所述ESD区位于所述源区与所述栅区之间；源极金属，位于所述衬底的所述源区上；栅极金属引线，位于所述衬底的所述栅区上；ESD保护结构，设置于所述衬底的所述ESD区上，所述ESD保护结构包括栅氧、ESD多晶硅、ESD栅极多晶硅以及ESD源极多晶硅，所述ESD多晶硅为并联的PN结构，所述ESD多晶硅、所述ESD栅极多晶硅以及所述ESD源极多晶硅均位于所述栅氧上，所述ESD多晶硅的延伸方向与所述栅极金属引线的延伸方向相同，所述ESD栅极多晶硅与所述ESD多晶硅连接且分别位于所述ESD多晶硅靠近所述源区以及所述栅区的一侧，所述ESD源极多晶硅与所述ESD栅极多晶硅间隔设置且连接于所述ESD多晶硅靠近所述源区的一侧，所述ESD源极多晶硅与所述源极金属连接，所述ESD栅极多晶硅与所述栅极金属引线连接。
全文数据：
权利要求：
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